摘要：金属/氧化物界面电阻切换效应研究

随着科学技术的飞速发展和半导体技术的日益成熟，存储技术在人们生活中的地位越来越重要，人们对存储性能的要求也越来越高。传统半导体存储器的发展受到了很大的限制，因为它们是基于电荷存储的。因此，各种新型非易失性存储器应运而生，包括相变存储器（PRAM）、铁电存储器（FRAM）、电阻存储器（RRAM）和磁存储器（MRAM）。在这些存储器中，电阻式存储器以其结构简单、集成度高、数据保持时间长、非易失性特性、低功耗、高速等优点而受到广泛关注，已成为下一代通用型存储器。目的非易失性存储器。性记忆的有力竞争者。在钙钛矿氧化物、二元氧化物和有机材料等绝缘材料中发现了电阻开关效应。为了研究阻变效应，世界各国进行了广泛的研究，并取得了丰硕的成果。然而，阻变效应的机理存疑，缺乏清晰完整的解释，因此氧化物阻变效应的研究仍有很大空间。为了研究在电极间添加电极和纳米层对电阻转换效应的影响，以及电阻转换效应的机理，本文重点研究钙钛矿结构氧化物的电阻转换特性，并改变电极和不同金属的实验条件/对氧化物结构进行了研究，获得了良好的实验结果。 1. 通过使用不同的电极接触 Nb:SrTiO3 (NSTO)，在此过程中，NSTO 表面被退火，形成不同的金属/NSTO 界面。通过测量不同界面的电阻切换效应，我们发现 NSTO 触点在不同金属和不同退火条件下产生的效果不同。电阻切换效应甚至会导致电阻切换效应消失。电阻转换效应主要归因于氧空位的迁移和电子的捕获或释放。 2. 在电极和氧化物之间添加纳米层，在不同的基板上测量电阻转换效应。我们发现电阻开关效应发生在 Au/Ni-Au NPs/NSTO 和 Au/Ni-Au NPs/ITO 器件中，我们比较了不同温度下的电阻开关效应。在室温下，Au/Ni-Au NPs/ITO 结构中的开关比远大于 Au/Ni-Au NPs/NSTO，但随着温度的降低，Au/Ni-Au 中的电阻NPs/ITO 结构减少。切换效应逐渐减小并消失，Au/Ni-Au NPs/NSTO 也减少但仍明显存在。 Au/Ni-Au NPs/ITO 结构中的电阻切换效应主要是由于界面中灯丝的存在。因为氧空位的移动速度快，而添加的纳米层为界面中“细丝”的产生提供了条件。

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