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Fe-Ga合金动作新式磁致舒卷资料,同保守的应急功效资料比拟具备诸多便宜。但若要将其真实的运用于高本领范围,须要制备大尺寸高取向的Fe-Ga晶体。正文以个中典范的Fe81Ga19合金因素为接洽东西,重要沿用Bridgman法完全加热,定向凝结制备Fe-Ga合金取向晶体,接洽晶机制备台湾中华工程公司艺参数对晶体成长进程、晶体取向、晶体品质的感化。过程温度场遏制,导热遏制与形核遏制,胜利赢得符合Fe-Ga单晶成长的笔直固液界面包车型的士工艺参数。并沿用符合的工艺前提,胜利制备切取了具备崇高磁致舒卷本能的取向Fe81Ga19单晶合金,并探究了Fe81Ga19合金单晶的磁畴排布、磁致舒卷应急与强外场的联系,按照试验截止得出以次重要论断: 1、揭穿了温度场遏制、导热遏制、成长取向遏制下加热功率和成长速率等工艺参数对晶体成长的感化顺序。开始将晶体成长加热办法往日期的区熔加热改为为Bridgman完全加热,并减少符合的保鲜区与隔音区,取消感触交流电对样本带来的趋肤效力和电磁拌和效率等反面电磁效力。接着对晶体成长中的加热区温度场散布举行了屡次考查丈量,保护之后考查参数能将熔区内的固液界面恒定在高于Fe-Ga熔点的范畴之内,最后归纳遏制多种工艺参数,在样本S第13中学赢得高磁致舒卷本能而且具备符合单晶成长的笔直固液界面形貌。 2、胜利制备了具备崇高磁致舒卷本能的取向Fe81Ga19单晶。按照Bridgman完全加热定向凝结成长本领工艺的接洽,成长出莫大取向的Fe81Ga19晶体。运用劳埃背散射法,对成长后获得的多晶体依照取向举行定向切割,制备了具备崇高磁致舒卷本能的近轴向取向单晶样本S16。 3、探究了进一步优化Fe-Ga取向资料初始磁畴散布的大概性,接洽强外场诱发单轴各向异性并普及磁致舒卷应急的表面按照。试验运用MFM查看单晶(110)面与(001)面上的外表畴和磁畴,证明了强磁场取向下外表畴与磁畴均会沿磁场目标的转化,并经过强磁场取向引入单轴各向异性K变换,引导可察看的磁畴宽窄与畴壁的厚薄爆发变革。且与轴向磁致舒卷弧线应急截止表白,强外场使(110)面与(001)面包车型的士外表畴和磁畴均爆发了转化,爆发了磁场诱发磁畴再取向,使各个丈量目标的饱和场减少,磁致舒卷应急也随之增大。
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