免费论文：Si-C-N高温微晶玻璃的制备及其个性接洽

连年来，前驱体热解法治备非氧化学物理陶瓷基复合资料遭到了普遍关心，沿用有机会合物动作材料，可对准前驱体分子的安排和工艺来遏制陶瓷的构成和构造，容易加工成型，热裂解进程中无需烧结助剂，普及了高温本能。正文提出沿用聚硅氮烷(PSZ)和聚碳硅烷(PCS)动作有机前驱体，经过裂解法治备SiC纳米晶平均弥漫在SiCN非晶中的非氧化学物理微晶玻璃，革新玻璃在胜过玻璃变化温度后易展示蠕变和软化情景，赢得高本能的高温构造资料。正文开始接洽了PSZ和PSZ/PCS(=1、2、3)搀和物的裂解及析晶个性。PSZ在1200°C时为非晶状况，1300°C时发端析出方石英；跟着处置温度的升高，方石英的析出量低沉，至1500°C时没有查看到SiC或Si3N4晶体的析出。引入PCS后，PSZ/PCS(=1、2、3)搀和前驱体在1450°C时发端析出β-SiC晶体，在1500°C时十足为β-SiC，无Si3N4晶体的析出。搀和前驱体的陶瓷化产率高于PSZ，在80%之上，且跟着PSZ含量的减少而减少，重要因为两种前驱体之间爆发搀杂反馈，使搜集水平飞腾，普及了陶瓷化产率。那些接洽使得二元体制制备SiC/SiCN微晶玻璃的计划可行，但制止成型产品在烧结后一致气孔率很大，最高到达35.3%，倒霉于微晶玻璃的制备。而后正文接洽了热压成型PSZ/PCS=1和PSZ/PCS=2搀和前驱体合金的制备工艺。将两种前驱体粉末于石墨胎具中450°C/1h保鲜加压后再裂解，1200°C处置时获得陶瓷样本的气孔率辨别为12.28%和6.94%，鲜明低于制止成型烧结后的样本，且跟着热处置温度的升高，气孔率有低沉的趋向。在1500°C处置的析晶样本中，平均散布β-SiC颗粒，约15~20 nm，同声查看到石墨化团簇，胜利地制备了SiC/SiCN微晶玻璃。结果正文接洽了热压成型PSZ/PCS=1和PSZ/PCS=2搀和前驱体合金变化产品的本能。变化产品中含有较多的自在碳，跟着处置温度的升高，自在碳向石墨碳变化。非晶地区中晶粒的生存很好地普及了微晶玻璃的弹性模量与硬度值，到达了197.1 GPa和27.9 GPa。微晶玻璃的常温电导率跟着处置温度的升高而普及，1500°C处置的样本所测值到达了5.90×10-2 S•cm-1，重要因为碳的石墨化和SiC结晶惹起。各别热处置下的微晶玻璃经1300°C/1 h氧化后单元表面积增重很小，最小为5.21×10-4 g•cm-2，氧化外表XRD谱图与氧化前无辨别，抗氧化本能崇高，在更高温度更长氧化功夫的本能及其余高温本能须要进一步接洽。

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