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高介电常数资料是暂时微电子行业范围中资料接洽的最热门课题之一,是电子元器件如动静保存器(Dynamic random access memory, 即DRAM)和多层陶瓷库容器(Multilayer ceramic capacitor, 即MLCC)的中心资料。CaCu3Ti4O12(CCTO)资料具备类钙钛矿构造,广播段下的介电常数高达12000安排,且介电常数在室温到300 oC范畴内简直维持静止,该资料具备杰出的温度宁静性和频次宁静性,在电子元器件行业中有着宏大的运用远景,惹起了人们很大的关心。然而,CCTO陶瓷的介电耗费很大,难以运用到本质消费须要中。常常情景,沿用固差异应法治备CCTO陶瓷时,因为材料搀和的不平均,CCTO粉末和陶瓷均须要在较高的预烧温度和烧结温度下制备,本领获得好的晶相构造。所以,洪量的接洽工作家全力于经过运用其余制备本领或掺杂代替等来革新CCTO的介电本能以实行本来用价格。本文华用溶胶-凝胶法,接洽了各别反馈前提对CaCu3Ti4O12(CCTO)和Na0.5Bi0.5Cu3Ti4O12(NBCTO)粉体相产生的感化,胜利制备了CCTO和NBCTO先驱粉体和陶瓷样本,并与固相法治备的陶瓷举行了相构造、微观构造和电本能的比较,赢得了电本能比固相法要好的CCTO和NBCTO陶瓷样本,并领会了关系反馈机理。开始,沿用溶胶-凝胶法合成了CCTO先驱粉体,体例接洽了各别反馈溶液Ti浓淡、pH、陈化功夫及反馈溶剂对粉体相产生的感化,赢得最好溶胶-凝胶反馈前提为:[Ti]=0.6 mol/L,pH=1.58,陈化功夫6 h,溶剂为乙醇,所赢得的CCTO先驱粉体具备较好的结晶本能。将溶胶-凝胶CCTO先驱粉机制成陶瓷,体例接洽了烧结温度和保鲜功夫对CCTO陶瓷的相构造、显微构造和介电本能的感化,截止表白在预烧温度为700 oC,烧结温度为1100 oC,保鲜功夫为15 h时,赢得具备类钙钛矿构造,且晶界明显、气孔少的CCTO精致陶瓷。1 kHz下,溶胶-凝胶法治备的CCTO陶瓷介电常数到达了35000并具备极低的介电耗费(0.014),在室温至120 oC范畴内有杰出的温度宁静性。其余,发此刻300 oC邻近生存一个宽化的介电驰豫峰。其阻抗谱图表白,溶胶-凝胶法治备的CCTO陶瓷里面生存着由绝缘晶界和半导晶粒所构成的里面遏制层构造,这是CCTO陶瓷巨介电性的重要启事,其晶粒电阻(Rg)和晶界电阻(Rgb)辨别为3.50 Ω和0.87 MΩ。其次,将溶胶-凝胶法胜利运用到NBCTO先驱粉体的合成人中学,其最好反馈前提为:[Ti]=0.53 mol/L, 冰乙酸体积为3 mL, 陈化功夫14 h,溶剂为乙醇,所赢得的NBCTO先驱粉体具备较好的结晶本能。同声还接洽了溶胶-凝胶先驱粉机制备成陶瓷的烧结工艺,体例接洽了预烧温度和烧结温度对NBCTO陶瓷的相构造、显微构造和介电本能的感化。截止表白预烧温度为730 oC,烧结温度为1020 oC,保鲜功夫为7.5 h时,赢得具备类钙钛矿构造,且晶界明显、气孔少的NBCTO精致陶瓷。1 kHz下NBCTO陶瓷的介电常数高达18110,并具备低的介电耗费(0.058)。其阻抗谱图表白,溶胶-凝胶法治备的NBCTO陶瓷里面生存着由绝缘晶界和半导晶粒所构成的里面遏制层构造,其晶粒电阻(Rg)和晶界电阻(Rgb)辨别为7.50 Ω和0.24 MΩ。结果,将溶胶-凝胶法治备的CCTO和NBCTO陶瓷与保守固相法的举行比较,体例比较两种本领合成的CCTO和NBCTO粉体的相构造产生进程、陶瓷样本的微观构造及电本能等。截止创造:溶胶-凝胶法合成粉体的主晶相产生温度比固相法的起码低100 oC,并且制备的CCTO陶瓷和NBCTO陶瓷的介电耗费、频次宁静性和温度宁静性均优于固相法,经过阻抗虚部计划出溶胶-凝胶法治备陶瓷的晶界活化能低于固相法的,进一步证明溶胶-凝胶法是普及巨介电资料电本能的一种灵验本领。
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