免费论文摘要：纳米拓扑非导体(015) 电子构造第一性道理接洽

连年来，拓扑非导体的接洽仍旧在凝固态物理和资料科学范围惹起了普遍的关心。拓扑非导体是一种实足各别于保守意旨上的非导体大概半半导体的新式量子静态，体块里面是有带隙的非导体，外表态受功夫反演对称性的养护而呈现款属性。拓扑非导体开始在表面上获得猜测，随后在BiSb合金、Bi2Te3以及Bi2Se3等一系列资料中被察看证明。鉴于密度泛函表面和紧牵制好像的表面计划重要会合在构造和本质之间的阐明、猜测新的拓扑非导体资料以及能带构造的刻画等上面。拓扑非导体资料地膜的所有而又普遍的表面接洽不妨更好地激动人们对该类资料的领会，同声也不妨开辟人们经过安排试验去考证并领会其本质。正文中的第三、四章鉴于密度泛函表面，咱们用两种各别的优化办法去接洽拓扑非导体Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Te2Se（015）密排面包车型的士构造和本质。咱们的接洽不妨激动对拓扑非导体外表态的领会和进一步的运用。本舆论简直的接洽实质如次：(1)沿用鉴于密度泛函表面第一性道理从新计划的MedeA-VASP软硬件包，在计划电子构造时商量自旋轨迹啮合效率的情景下接洽了Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Te2Se（015）地膜。构造优化沿用只优化亚原子场所的办法。经过计划创造Bi2Te3（015）地膜跟着膜厚的减少，在G点的带隙表露渐渐减小的趋向；同声创造当膜厚为5层时，地膜展示了低能隙的非金属外表态。而在Sb2Te3和Bi2Te2Se(015)1-5层地膜中也展示一致的特性。Bi2Te3(015）地膜在减少到6层时，G点的能隙仍旧缩小到特殊小的meV数目级，所以咱们估计，当地膜充满厚时，Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Te2Se地膜在G点的能隙将会消逝，这一截止与Bi2Te3的 (0 0 0 1) 面截止普遍。(2)沿用水热法合成Bi2Te3纳米带，同声沿用第一性道理计划纳米带的电子构造。在往常文件通讯中对于地膜的计划，因为基片的夹持效力，所以在举行模仿计划时沿用只优化亚原子场所大概径直不优化的办法，而本试验中的样本是在没有基片的自在情况中成长的，引导亚原子间距有大概爆发变革，贬低对称性。所以，咱们在模仿计划时沿用先优化晶胞，后优化亚原子场所的办法对样本举行充溢的弛豫。从试验中咱们创造Bi2Te3{015}晶面族的等效晶面间距爆发变革。经过表面模仿计划，创造因为晶格参数的变革从而引导了等效晶面间距的变革，这与试验截止普遍，考证并证明了试验截止。跟着纳米带厚薄的渐渐减少，Bi2Te3(015)纳米带的电子构造和平衡单亚原子层贯串能渐渐逼近体块。在Sb2Te3(015)晶面也生存一致的顺序。要害词：拓扑非导体  地膜   晶面间距   电子构造  能量  第一性道理  

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