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免费论文摘要:Nb/SnO2复合地膜的制备、构造表征及物性

10416 人参与  2022年01月30日 22:09  分类 : 论文摘要  评论

SnO2基通明导热地膜以逼近非金属的电导率、高看来光透过率、高红外曲射率及半半导体个性,普遍地运用于枯燥表露器件、太阳能光伏干电池、热曲射镜、气体敏锐资料、特出功效窗口涂层等范围。正文运用无机非金属盐SnCl2•H2O和氧化学物理Nb2O5为重要材料,沿用溶胶-凝胶法与匀胶机旋涂本领相贯串,胜利地制备出Nb/SnO2复合地膜,运用XRD、SEM、四探针尝试仪及紫外-看来分光灯光计等尝试本领对Nb/SnO2复合地膜的构造与物性举行了接洽。接洽截止表白:(1)各别掺杂浓淡的Nb/SnO2复合地膜(500°C热处置)表露四方相金红石构造,其晶粒尺寸为5~7nm。复合地膜的晶粒尺寸跟着Nb含量的减少先增大再减小;复合地膜的电阻率跟着Nb含量的减少先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时,复合地膜的电阻率到达最低为9.49×10-2Ω•cm,增大膜厚可明显普及其导热本能;当Nb含量小于0.99at%时,复合地膜的看来光透过率都在90%之上,其光学带隙在3.9~4.1eV之间,当Nb含量到达1.23at%时,复合地膜看来光透过率鲜明贬低。 (2)各别热处置温度的Nb/SnO2复合地膜在300°C以次时未结晶,350°C之上展示结晶且表露四方相金红石构造,晶粒尺寸跟着热处置温度的升高而增大,其散布范畴为6~7nm;复合地膜的看来光透过率都在80%之上,其光学带隙在3.8~4.0eV之间;复合地膜的电阻率跟着热处置温度的升高先缩小后增大。

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