免费论文摘要：Fe掺杂GaN及空隙的第一性道理接洽

GaN是近些年来新兴盛起来的第三代半半导体资料。GaN具备宽带隙、发亮功效高、热导率高、硬度大、介电常数小等崇高的光学、电学及化学本质。正文在密度泛函表面框架下，运用第一性道理，对Fe掺杂纤锌矿相GaN、空隙掺杂纤锌矿GaN、Fe和空隙共通掺杂纤锌矿GaN举行了计划，接洽了其磁性、电子构造的变革情景。开始，对Fe掺杂纤锌矿相GaN举行了磁性和电子构造的计划。截止表白，Fe掺杂纤锌矿GaN会在体例中引入反铁磁性（AFM）基态，而且Fe-N键的离子性更强，而Ga-N的共价性更强。其次，对Ga空隙和N空隙掺杂纤锌矿GaN举行了磁性和电子构造计划。截止表白，GaN中的N空隙不会给体例引入磁性，而Ga空隙会引导展示磁性，磁矩重要散布在隔壁Ga空隙的四个N亚原子上。结果，领会了N空隙对Fe掺杂纤锌矿GaN的磁性和电子构造的感化。介入N空隙后，体例由半半导体性别变化为半非金属性，而且随N空隙场所的各别，两个Fe亚原子的磁性彼此效率仍为AFM基态或变为亚铁磁（FIM）基态。介入N空隙后，若两个Fe亚原子的范围情况沟通，则磁性彼此效率仍为AFM；若两个Fe亚原子范围情况各别，则磁性彼此效率变为FIM。

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