免费论文摘要：大晶粒多晶硅地膜的成长及其机理接洽

多晶硅地膜具备杰出的光电本能和较低的制备本钱，以是在动力消息财产中，日益变成一种要害的资料，并被普遍运用于微元器件、太阳能干电池及集成通路中。激光退火法（LAC）是不妨在低温前提下制备出高品质的多晶硅地膜，被觉得是比拟理念的本领，然而因为莱塞的创造运转本钱很高，光斑尺寸有限，没辙径直举行大量量的消费，以是很难运用于低本钱高品质多晶硅地膜的创造。径直在绝缘衬底上成长的本领简单批量消费，然而这类方法治备的多晶硅地膜晶粒尺寸小缺点多，很难满意集成通路消费诉求。接洽怎样在廉价绝缘衬上制备高本能、低本钱、可大范围消费的多晶硅地膜现在国际的抢手课题,也是正文的重要接洽实质。 正文开始试验了激光退火制备多晶硅地膜，经过接洽激光退火能量、先驱地膜厚薄对多晶硅地膜的感化，并经过在先驱a-Si成长氧化层动作养护层和牵制层，然而激光退火法的能量窗口太小，且能量阈值对激光带长、a-Si的厚薄很敏锐，结晶也度很难遏制，很难运用于低本钱高品质多晶硅地膜的制备。 之后，试验了外延成长法，主假如商量怎样在SiO2衬底上制备大晶粒的多晶硅地膜。探究了外延成长温度、衬底品种、掺杂等前提对多晶硅地膜构造本能和电学个性的感化，发此刻820 ℃下、在SiO2衬底上径直外延成长赢得的多晶硅地膜晶粒尺寸大（逼近500 nm），平均性好，迁徙率高。经过优化学工业艺参数和矫正制备本领（多层膜瓜代成长）赢得了晶粒尺寸胜过1 μm，载流子迁徙率胜过30 cm2/(Vs)的高本能多晶硅地膜。

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