免费论文摘要：化学刻蚀法治备硅纳米线阵列及其光催化本能接洽

硅是微元器件中运用最为普遍的半半导体资料，普遍生存于天然界中，是暂时地球上蕴藏最充分的资料之一。固然半半导体资料在连接兴盛，但硅基资料有着老练的半半导体工艺本领和便宜的本钱上风，一直是该范围的接洽热门。动作纳米资料，硅纳米线展现出与体资料各别的光、电、磁、热等物理个性，所以对其本能的接洽也成了人们关心的热门。正文重要对硅纳米线(SiNWs)及其复合阵列在光催化降解上面的运用举行接洽。沿用化学刻蚀的方法治备出SiNWs阵列。SEM尝试表白硅纳米线陈设规整、取向普遍，直径约为80~300nm，长度约为51μm。对硅纳米线阵列举行外表化装处置，制备Ag/SiNWs复合阵列、Cu2O/SiNWs复合阵列。以罗丹明B为被降解物，对它们的催化本领举行接洽，创造Cu2O/SiNWs复合阵列的光催化功效鲜明巩固。在H2O2的扶助下，Cu2O/SiNWs复合阵列的光催化本能获得了大的普及。结果给出了Cu2O/SiNWs复合阵列的光催化学工业机械理，觉得光催化功效的普及是因为在p型的Cu2O纳米粒子和n型的SiNWs阵列之间产生了p-n型异质结和内建磁场，利于于光生电子空穴对的灵验辨别。

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