免费论文：MOCVD方法制备氧化锌薄膜的气敏特性研究

ZnO是一种优良的宽带隙高激子束缚能化合物半导体材料，其光电导随表面吸附的气体种类和浓度不同会发生很大变化，对有害性气体、可燃气体、有机蒸汽等具有很好的敏感性，可制成各种表面型气敏器件。近年来，随着新的制备工艺以及制备方法的不断出现与发展，新型的微小尺度（纳米）特殊形貌的材料不断引起人们的注意。特殊形貌的ZnO具有较高的密度分布和较大的比表面积，这相当有利于其作为一种气体敏感材料应用于传感器等元器件。 本实验使用自行搭建的大气开放式MOCVD系统沉积ZnO薄膜试样。实验为了制备出较好的ZnO试样，首先对设备进行了气路和反应条件方面的一些改造，然后通过变化工艺参数，探讨不同条件对ZnO薄膜制备的影响，最后确定了制备较为理想的工艺参数：气化室温度Tv=115℃，基片温度Ts=550℃，载气流速v=1.0L/min，沉积时间t=180min，喷嘴到基片台的距离H=18mm，并且往基片台上方和喷嘴下方的空间喷入水蒸汽，其中带出水蒸汽的氮气流量为1.0L/min。。 本实验自行设计组装了一套简易的气敏测试系统，对大气开放式MOCVD沉积出的不同形貌的ZnO试样进行了气敏特性测定，发现具有较高比表面积的片层花瓣结构的ZnO薄膜具有较高的灵敏度。550℃的热处理能一定程度的增加其灵敏度，但是在空气环境中对测试气体的灵敏度较氮气环境中有所下降。 在用金属Al和Ag对ZnO沉积薄膜进行表面修饰后，发现适量的Al和Ag的表面修饰能起到催化剂的作用，提高ZnO薄膜试样的灵敏度，并一定程度的降低试样最佳工作温度，但过量的金属修饰反而会使试样灵敏度急剧下降。

来源：半壳优胜鲸鱼幸运星转载请保留出处和链接！

本文链接：http://87cpy.com/273558.html