免费论文：纳米硅太阳干电池双层减曲射膜的接洽

运用太阳能干电池火力发电是处置动力题目和情况题目的要害道路之一。太阳能干电池不妨径直把太阳能变化为电能，具备极大的可再素性，既纯洁安定，无传染，也不会感化生态情况，以是越来越被人们所看法、接收。在太阳干电池的接洽和兴盛中，地膜太阳干电池是人们接洽的热门课题，国际太阳干电池的接洽正在向地膜化目标兴盛。纳米硅地膜已基础取消了S-W效力，使其光电本能在长久的普照下到达宁静水平，所以它具备宏大的远景。普及太阳能的运用率，更加是太阳干电池的光电变化率是科学研究工作家接洽的一个要害目标。对于普及太阳干电池的光电变换功效的本领很多，但比拟可行又能贬低太阳干电池本钱的本领是在太阳干电池外表产生一层减曲射地膜，以缩小太阳干电池表面临光的曲射丢失。本舆论主假如对运用PECVD(等离子体体增加强学气相堆积)系控制备的纳米硅太阳干电池减曲射地膜的接洽。第一、运用PECVD(等离子体体增加强学气相堆积)体例，以硅烷和氨气为气源制备了具备钝化和减曲射本能的氮化硅地膜。开始经过正交试验，按照氮化硅地膜的反射率探求了地膜的对立最好成长参数：SiH4(5%，N2稀释)：NH3=15:0.75(sccm)，衬底温度300℃，发射电波频率功率40W，处事气压2.7Torr，直流电偏压200V；试验的本底真空度均为3.0×10-3。在此普通上，又接洽了PECVD成长氮化硅地膜的工艺参数：硅烷和氨气的流量比、衬底温度、发射电波频率功率、处事气压和直流电偏压等对地膜反射率和堆积速度的感化。而后优化出最后的堆积参数。其论断如次：氮化硅地膜的反射率变革范畴为1.81~2.24；跟着硅烷和氨气旋量比的增大，地膜的反射率增大，但当SiH4:NH3=3:1时，地膜的反射率稍有低沉，当SiH4:NH3=2:1时，氮化硅地膜的反射率到达1.99，与太阳干电池单层减曲射膜的最好反射率1.97贯串近；其余，地膜的堆积速度跟着SiH4/NH3比率的增大而渐渐增大。氮化硅地膜的反射率跟着衬底温度的减少而增大，其堆积速度跟着温度的升高先增大后减小。地膜的反射率跟着发射电波频率功率的增大表露出贬低的趋向，而其堆积速度跟着功率的减少而减少。地膜的堆积速度跟着处事气压的增大而增大，而跟着直流电偏压的增大而减小。所以，氮化硅地膜的最好工艺参数为SiH4(5%,N2稀释):NH3=30:0.75(sccm)，衬底温度260℃，发射电波频率功率40W，处事气压2.3Torr，直流电偏压200V。第二、接洽了最好工艺参数下制备的氮化硅地膜的外表形貌，构造和因素。XRD的尝试截止表白，氮化硅地膜为非晶态构造；由AFM测得地膜外表的精细度为5.7nm，证明地膜外表平坦润滑；经过XPS尝试截止可知，地膜中Si/N跟着硅烷和氨气旋量比的减少而减少。第三、沿用PECVD制备二氧化硅地膜及双层减曲射膜系的安排和制备。截止表白，PECVD制备的二氧化硅地膜的反射率略高于二氧化硅的反射率1.46；SiO2-SiNx-Si双层膜系外表最低曲射率出此刻600nm安排，其值为0.2%，符合作纳米硅太阳干电池的减曲射膜。

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