免费论文：柔性衬底纳米硅太阳干电池的接洽

正文引见了我国的太阳能资源散布、光伏财产的兴盛、太阳能干电池的分门别类和高效太阳能干电池兴盛进程，指摘了柔性不锈钢衬底纳米硅地膜太阳能干电池的接洽发达。正文中心研制柔性不锈钢衬底纳米硅地膜太阳能干电池， 即低本钱、高功效的异质结纳米硅本领与柔性不锈钢衬底太阳能干电池相贯串制备柔性不锈钢衬底纳米硅地膜太阳能干电池。运用PECVD（等离子体体增加强学气相堆积）法治备了晶态含量在（50±5）%之间，晶态峰在509-518cm-1之间，室温电导率到达4.9×100Ω-1•cm-1的本征收交纳米硅膜，经过比拟和优化各个堆积前提，最后在较高堆积气压下赢得了较高堆积速度（2~3nm/min）的纳米硅地膜（比以基础高了2~3倍）。接洽了PECVD成长掺硼纳米硅地膜的工艺参数：硅烷，氢气和硼烷的流量比、堆积温度、发射电波频率功率对掺硼纳米硅地膜电阻及堆积速度的感化：跟着硼烷/硅烷流量比的增大，地膜的电阻值减少；地膜的堆积速度跟着硼烷/硅烷流量比的增大而增大；地膜的电阻值跟着堆积温度的减少先减小后增大，而地膜的堆积速度跟着堆积温度先增大后减小；当发射电波频率功率在20-80W间，地膜电阻值变革较小，大于80W后，地膜电阻赶快变大。而地膜的堆积速度跟着发射电波频率功率的减少而减少。得出堆积掺硼纳米硅地膜的最好工艺参数为：SiH4:H2:B2H6=5:100:0.6(SCCM)，堆积温度340℃，发射电波频率功率40W，处事气压2.5Torr直流电偏压为200V。在较高的处事气压(332.5-399Pa)，较高温度(320-360℃)下，沿用等离子体化学气相堆积工艺在玻璃与硅片上辨别制备了掺硼纳米硅地膜，并沿用拉曼光谱，电子探针，电导率，迁徙率尝试本领对其举行了尝试与领会。其电导率达2.97×102Ω-1cm-1，在硅片衬底上堆积掺硼纳米硅地膜的电导率比P型硅片的电导率普及了4个数目级，载流子浓淡普及了4个数目级，迁徙率变革不鲜明，比玻璃衬底上堆积掺硼纳米硅地膜的电导率高5个数目级，电导率的普及大概是由于在硅片与地膜间爆发了量子尺寸效力。所制备的高导热率掺硼纳米硅地膜利于于高本能纳米硅地膜太阳能干电池的制备。沿用便宜不锈钢衬底制备结束构为grid/ITO/p-nc-Si/i-nc-Si/n-c-Si/Al/substrate的柔性不锈钢衬底纳米硅地膜太阳能干电池。经过洪量的考查，对感化干电池本能的成分举行了发端领会，从而优化学工业艺参数，最后制备出了开路电压14.2 mV，短路交流电0.018mA干电池。

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