免费论文：Cu:ZnO稀磁性半半导体纳米面末的室温铁磁性接洽

自旋电子学的兴盛使稀磁性半半导体（Diluted Magnetic Semiconductors ，DMSs）资料变成凝固态物理的前沿接洽热门之一。自旋电子学器件同声运用了电子的电荷与自旋两个自在度，不妨制备很多具备神奇磁光效力的器件，制备室温稀磁性半半导体是实行半半导体自旋电子学器件运用的先决前提。暂时，稀磁性半半导体的磁性发源和试验截止的证明还生存着普遍的争议。正文在试验普通上接洽了非磁性非金属元素Cu掺杂的ZnO的室温铁磁性，经过遏制体制载流子和缺点的数目领会了Cu:ZnO纳米面末室温铁磁性的根源。沿用溶胶-凝胶法治备了系列Cu掺杂的ZnO和Al、Cu共掺杂的ZnO纳米面末， 经过XRD，TEM，ESR和VSM等试验丈量，创造样本的构造仍旧为六角纤锌矿构造，纳米颗粒尺寸平均，结晶杰出。跟着Cu掺杂量的增大，样本的饱和磁化强度增大。 当掺杂量胜过了Cu在ZnO中的固溶度之后，样本的磁性低沉。在晶格中单元Cu亚原子的磁矩随掺杂量的增大而减小。领会表白Cu在Cu:ZnO体制中文大学局部以Cu2+的情势生存，它的3d电子产生的受主杂质能带与ZnO晶格中的缺点电子所产生的檀越杂质能带在费米面邻近爆发调换效率，引导了体制的室温铁磁性。其余，n型载流子的引入将缩小体制中Cu2+的数目，使体制的磁性低沉。

来源：半壳优胜育转载请保留出处和链接！

本文链接：http://87cpy.com/265674.html