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空间情况对在轨航天器体例真实性与安定性的恫吓,因轨迹莫大各别而表露各别的主宰成分。就在洼地球轨迹(LEO)(200~700km)情况中的航天器而言,引导其表面面会合物资料蜕化的要害因从来自亚原子氧(AO)、紫外(UV),大概它们的共同效率;为制止航天器表面面资料蒙受腐蚀,在外表掩盖二氧化硅(SiO2)、二氧化锗(GeO2)、或氧化锡铟(ITO)等防备膜,遏止亚原子氧分散至防备膜/会合物界面;而过厚的防备膜则贬低会合物的光学本能。所以,需创造用来共同效力的氧化模子,预算防备膜最小厚薄。 本舆论一上面以共同效力中SiO2防备膜为算例,试验给出所需的模子,并发展考证;另一上面,假如AO在锗Ge外表上与在硅Si外表上的分散-反馈体制一致,试验将所赢得的表面框架用来模仿GeO2防备膜的成长,动作另一个算例,以期检查模子的普适性。 为此,按照矫正的AGB模子的特性(即假如重要氧化剂为中性和阴性AO,运用含变分散系数与变反馈常数的分散-反馈方程刻画过热AO在Si外表上的物生化学进程)以及现有光助硅氧化重要模子(如Cabrera-Mott模子、DCKB模子、低温真空紫外(VUV)开辟硅氧化模子)的特性(即假如重要氧化剂为中性和阴性AO,由含常分散系数的输运方程表征分子氧与紫外或X-射线对硅共同效率的物生化学进程),计划过热AO与UV对硅共同效率的分散-反馈进程与上述物生化学进程的差同性。鉴于其分别性对共同效力中AO在硅外表上分散-反馈感化的领会,得出推广:该共同效力与矫正的AGB模子所表白的分散-反馈进程具备沟通特性,据此给出该共同效力的模子方程。 随后,对上述共同效力模子及DCKB模子、低温VUV开辟硅氧化模子的方程作了比拟,变幻前两个模子方程,运用分散系数的设置和粒子平衡速率的Nernst-Einstein方程领会粒子浓淡的梯度项,商量三个模子方程的内涵接洽。 其余,虽不足径直考证表面框架的试验数据,但因为在射程小于242nm的光加快分子氧在硅外表氧化中,重要的氧化剂为中性和/或阴性AO,所以,内项处事沿用分子氧和光对Si外表共同效率的试验数据,转弯抹角考证模子方程的真实性。 将共同效力的非线性模子方程无穷纲化,沿用Crank-Nicolson方法求解该方程组,获得氧化学物理浓淡随功夫和空间的变革,从而给出了氧化层延长与功夫的联系弧线,即氧化厚薄随功夫变革的无穷纲表面弧线。 按照无穷纲模子方程的标度本质,决定表面弧线与试验数据的拟合联系式,模仿硅氧化膜的成长,给出反馈率常数k0、分散系数D0、安排参数以及特性衰减长度L0。既而,经过给出电子通量表白式证明k0以及D0与温度间、入射光剂量间的联系,并对其与温度和射程间、入射光带长间的关系性也作了浅析。 实行共同效力中SiO2氧化层成长的表面框架及数值本领,模仿GeO2氧化层的衍化;赢得k0、D0、x以及L0;领会AO的平电能、情况温度对k0与D0感化。 对一切试验数据的拟合表露,除去5eV亚原子氧撞击Ge外表的情景外,表面弧线与试验截止符合,发端证明了模子的真实性、有理性以及普适性,给定的模子可动作LEO中预估航天器外表防备膜厚薄的表面框架。
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