免费论文摘要：GeO2、Ga2O3纳米构造的可控合成及其发亮本能

本舆论以非金属锗粉和非金属镓颗粒为材料, 辨别在硅片上海大学表面积成长出了GeO2纳米线阵列、片状GeO2纳米线搜集, 在镓颗粒外表或硅衬底上成长出了Ga2O3忽米带和Ga2O3六边形纳米片. 接洽了它们的形貌、晶体构造和发亮个性, 提出了各别形貌GeO2纳米构造和Ga2O3纳米构造的成长机理. 为各别形貌GeO2、Ga2O3一维纳米构造的光电本能和运用接洽奠定了确定的普通.(1) GeO2纳米线阵列的合成和发亮本质及其图案化: 在马弗炉中加热非金属Ge粉到1000 ℃保鲜1 h, 在喷金硅片外表成长出GeO2纳米线阵列. 同声, 贯串光刻的本领, 制备出了图案化的GeO2纳米线阵列. 所得的GeO2纳米线阵名列六方相构造, 其直径为60-70 nm, 长度为4-20 μm. 接洽了反馈温度和反馈功夫对产品形貌的感化, 提出了大概的成长机理. 从GeO2纳米线阵列构造中查看到了坐落347和364 nm处强的紫外光发亮以及403与490 nm处弱的蓝光发亮, 蓝光发亮大概发源于缺点的发亮, 而GeO2的带隙大概为5.0 eV, 以是紫外发亮并非来自带隙, 大概是两种处在不搀杂学情况中缺点的发亮.  (2) 片状GeO2纳米线搜集构造的合成和发亮本质: 在管式炉中加热非金属Ge粉和Al粉的搀和物, 1000 ℃与氧气反馈1 h, 在硅片外表堆积获得了片状GeO2纳米线搜集构造. 所得的片状纳米线搜集为六方相氧化锗, 纳米线直径为60-70 nm, 长度为20 μm安排. 接洽了反馈温度和功夫对产品形貌的感化, 提出了大概的产生机理. 从片状GeO2纳米线搜集构造中查看到了坐落365 nm处强的紫外光发亮和401 nm及489 nm处弱的蓝光发亮. 蓝光发亮大概发源于缺点的发亮, 而紫外发亮不大概来自带隙的发亮, 大概也是一种缺点的发亮.(3) 单晶β-Ga2O3忽米带的原位合成及光致发亮本能: 在Ar气氛围中以及H2O的存鄙人将非金属镓加热到1050 ℃, 在镓颗粒外表原位成长出β-Ga2O3忽米带. 接洽了β-Ga2O3忽米带的成长进程, 提出大概的成长机理. 在室温下接洽所得Ga2O3忽米带的光致发亮个性, 创造了在469 nm处强的蓝光发亮, 这种发亮大概是氧空隙的电子与镓-氧空隙对上的空穴复合爆发的.(4) 单晶六边形Ga2O3纳米片的合成及其成长机理和光催化: 在Ar气氛围中以及NH4Cl和H2O的存鄙人将非金属镓加热到800 ℃, 从镓颗粒外表和范围的硅片上成长出β-Ga2O3六边形纳米片. 接洽了β-Ga2O3六边形纳米片的成长进程, 提出大概的成长机理, 商量了NH4Cl在纳米片产生进程中的效率. 在室温下接洽所得β-Ga2O3六边形纳米片的发亮个性, 创造了在489 nm处强的蓝光发亮，并接洽了β-Ga2O3六边形纳米片的光催化个性.

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