论文摘要：稀土氧化物的掺杂对BST-MgO复相陶瓷介电非线性的影响

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST) 陶瓷及薄膜有着广阔的应用前景，例如：相控阵天线上的移相器、微波调谐器件、红外热释电成像器件等诸多领域。最近，钛酸锶钡材料又被认定为用于动态随机存储器(DRAMs) 的最佳候选材料。为了提高移相器性能，通过掺杂的方法研究了La2O3和CeO2稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相器材料低频(10 kHz)相对介电常数、介电损耗和调谐性等的影响，并对影响机理作了初步探讨。论述了材料的组成、显微结构以及介电性能之间的关系。主要试验结果如下：
1. La2O3 对BSTO/MgO复合陶瓷的烧结特性、相结构、显微组织结构及介电性能的影响。微量的La2O3 掺杂可使复相陶瓷的烧结温度降低约50℃，并可以改善陶瓷的介电性能。在1400～1550℃的温度范围内，所有样品中均存在BST和MgO的两种物相，没有检测到其它杂相。掺杂适量的La2O3 可降低BSTO/MgO 复合材料介电损耗,同时保证适中的介电常数。掺杂La2O3会引起复相陶瓷的介电可调度的降低，但是少量的La2O3掺杂对BSTO/MgO复相陶瓷的介电损耗有显著的改进作用。
2. 在Ba0.6Sr0.4TiO3与质量分数为56%MgO混合的基础上，进行了CeO2掺杂的系统研究。结果表明：随着CeO2掺入量的增加，BSTO/MgO材料的晶粒尺寸减小。XRD、SEM和EDS 分析表明复合陶瓷由Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）和MgO两相组成，没有杂相出现；随着CeO2含量增加复合陶瓷样品的居里温度点向低温方向偏移，介电常数、介电损耗、介电可调度也相应发生变化，样品的K值呈现出先增加到最大值，随后逐渐减小的趋势。CeO2含量为0.2%的样品具有较好的介电性能。

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