免费论文摘要：高能球磨法治备铌酸镁微波介质陶瓷及其本能表征

跟着新颖通讯本领的飞快兴盛，更加是挪动卫星通讯和寰球定位体例等的赶快兴盛，袖珍化和轻量化的微波器件日益遭到关心。低温烧结多层陶瓷器件(LTCC)不妨灵验地减小器件标准，实行集成化，已遭到人们的普遍关心。铌酸镁(Mg4Nb2O9、MgNb2O6)系列微波介质陶瓷因其高的品德因子，低的介电常数等崇高本能，希望变成新一代高Q值微波介质基板资料。但是，规范电子陶瓷工艺制备的铌酸镁陶瓷烧结温度很高，普遍在1350~1400 °C。暂时，微波介质陶瓷正朝着高频、低温烧结以及小晶粒尺寸目标兴盛，所以，有需要对该体制陶瓷举行改性和发展低温烧结等接洽。本文华用高能球磨法治备前期粉体，低温下合成Mg4Nb2O9、MgNb2O6相，从而气氛中烧结制备了铌酸镁(Mg4Nb2O9、MgNb2O6)系列陶瓷。接洽了高能球磨制备纳米面体对Mg4Nb2O9投合成温度、相构造、显微构造、晶粒尺寸以及陶瓷的显微构造和微波介电本能的感化；经过V2O5、Li2CO3共掺杂，初次获得了低温烧结(920 °C)Mg4Nb2O9亚忽米陶瓷；经过对各别球磨功夫粉机制备MgNb2O6微波介质陶瓷的接洽，商量了粉体球磨功夫对MgNb2O6投合成温度以及MgNb2O6陶瓷的烧结本能、相构造、显微构造和微波介电本能的感化。重要截止和论断如次：(1) MgO-Nb2O5搀和物经高能球磨后预烧，Mg4Nb2O9相含量随球磨功夫、预烧温度和保鲜功夫的减少而减少，球磨60 h粉体在900 °C保鲜3 h合成出粒径为50~80 nm 的Mg4Nb2O9纳米晶，灵验贬低Mg4Nb2O9投合成温度约150 °C。高能球磨制备的Mg4Nb2O9纳米面体，普及了Mg4Nb2O9陶瓷的烧结本领；Mg4Nb2O9陶瓷的物相构造、显微构造构造随烧结温度变革，微波介电本能与陶瓷的密度随烧结温度的变革普遍。Mg4Nb2O9陶瓷在1200 °C烧结，对立密度到达96.42 %，粒径1.5~5.0 mm，且具备崇高的微波介电本能Q´f = 133 164 GHz，er = 12.6，tf = -56.69 ppm/°C。(2) 沿用高能球磨制备先驱粉体以及V2O5和Li2CO3共掺杂，灵验贬低Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度，减小Mg4Nb2O9陶瓷的晶粒尺寸。相构造和显微构造领会表白，V2O5和Li2CO3共掺杂并没有在Mg4Nb2O9陶瓷中产生第二相； V2O5增添量£1.50 wt%无助于于产生液相，激动Mg4Nb2O9陶瓷920 °C实行精致化烧结。烧结温度高于950 °C，Mg4Nb2O9陶瓷晶粒特殊长大引导Mg4Nb2O9陶瓷的介电本能低沉。1.50 wt% Li2CO3和1.50 wt% V2O5共掺杂Mg4Nb2O9陶瓷920 °C烧结，平衡粒径0.78 mm，er =12.4，Q´f = 33 803GHz，tf = -76.5 ppm/°C，是一种本能杰出的高频LTCC微波基板陶瓷资料。(3) MgNb2O6相领会接洽表白，粉体经高能球磨5 h后有微量MgNb2O6相天生，且MgNb2O6相含量随球磨功夫的减少而减少；球磨功夫³15 h的粉体在800 °C保鲜4 h预烧获得MgNb2O6纯相。1180 °C烧结MgNb2O6陶瓷，随球磨功夫减少，密度增大，平衡粒晶减小，介电常数增大；球磨15 h粉机制备的MgNb2O6陶瓷随烧结温度从1180 °C增大到1260 °C，密度从4.63 g/cm­­3增大到4.81 g/cm­­3，平衡粒晶从2.0 mm增大到5.0 mm，介电常数从16.5增大到20.0，Q´f从26 692 GHz增大到30 966 GHz。1220 °C保鲜4 h烧结，球磨15 h粉机制备的MgNb2O6陶瓷对立密度到达95.8 %(密度4.78 g/cm3)，平衡粒径3.5 mm，且具备杰出的微波介电本能(er = 19.7，Q´f = 26 744 GHz)。

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