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沿用低温化学气相堆积法(CVD),辨别在单晶Si、FTO导热玻璃和石英玻璃衬底上制备了SnO2纳米棒阵列和SnO2纳米棒组建的花状微球构造。接洽了单晶Si衬底上SnO2纳米棒阵列的场放射(FE)本能、光致发亮(PL)本能和外表侵润本能,SnO2纳米棒组建的花状微球构造的光电导个性和对乙醇、盐酸安非拉酮、三乙胺和氨气的气敏传感本能。经过原位成长法治备了In2O3三维网状纳米构造和四重对称分级纳米构造,提出了大概的成长机理,接洽了In2O3三维网状纳米构造辨别对乙醇、盐酸安非拉酮和三乙胺的气敏传感个性。那些接洽为SnO2和In2O3纳米构造的制备,物生化学本能的接洽及在场放射器件、气敏传感器、光检验和测定器件及染料敏化太阳能干电池等范围的运用奠定了表面普通。简直接洽截止如次所述:(1) SnO2纳米棒阵列的制备及其场放射、光致发亮和外表浸湿本能经过CVD法,以SnCl2·2H2O和ZnCl2的搀和物为源物资,在马弗炉气氛氛围中,600 oC反馈,辨别在单晶Si、石英玻璃和FTO玻璃衬底上制备了莫大取向的SnO2纳米棒阵列。经过反馈温度和源物资中SnCl2·2H2O和ZnCl2比率的变换实行了各别尺寸和各别取向SnO2纳米棒阵列的可遏制备,提出了大概的成长机理,接洽了SnO2纳米棒阵列和SnO2多晶地膜的场放射本能,并与已通讯SnO2其余纳米构造的场放射本能举行了比拟。截止表白,竖立SnO2纳米棒阵列具备巩固的场放射本能,其在制备场放射器件上面有着潜伏的运用。接洽了各别尺寸SnO2纳米棒阵列的光致发亮本能和外表浸湿本能,初次创造了SnO2纳米棒阵列在424 nm处新的蓝-绿光发亮。(2) SnO2纳米棒自组建微球的制备及其光电导和缓敏本能沿用化学气相堆积(CVD)本领,在管式炉中,以SnCl2·2H2O和ZnCl2为原物资,SiO2衬底上胜利制备了SnO2纳米棒自组建微球构造,运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对产品举行了表征。安排了一种大略的本领尝试SnO2地膜状纳米构造的光电导个性及气敏传感个性。接洽了254 nm和365 nm紫外光映照下样本的I-V个性,创造该纳米构造对射程为254 nm紫外光的相应精巧高达7.06。接洽了SnO2纳米棒自组建微球构造在350℃处事温度下对各别浓淡乙醇、盐酸安非拉酮、三乙胺和氨气的气敏本能。截止表白,该纳米构造对三乙胺气体的精巧度最高,精巧度随浓淡变革较大,相应-回复功夫较短,且浓淡检出限可到达9 ppm。(3) In2O3三维网状纳米构造的制备及其气敏本能在N2气氛围中,以As粉和ZnCl2为催化剂,700 oC反馈1h,在非金属In粒外表原位成长了In2O3三维网状纳米构造。经过变换As粉在管式炉中的场所获得了In2O3四重对称纳米构造。接洽了As粉和ZnCl2在产生In2O3三维网状纳米构造中所起的效率,提出了大概的成长机理。接洽了In2O3三维网状纳米构造对乙醇、盐酸安非拉酮和三乙胺的气敏传感个性。构造表白,该纳米构造具备较低的检验和测定限、较高的精巧度和较快的相应-回复功夫。个中,对盐酸安非拉酮的检验和测定限可达1.7 ppm。
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