免费论文摘要：超等化学镀铜本领弥补微道沟的普通接洽

非金属铜因为其具备较低的电阻率和较高的抗电迁徙本领，已被普遍地运用于超大范围集成通路的大马士革铜互联线工艺中。其铜互联线工艺的微孔和道沟的实足弥补是经过超等镀金本领来实行的。跟着集成通路芯片中铜互联线宽窄赶快减小，平均铜健将层很难赢得，而使得镀金铜弥补变得越来越艰巨。超等化学镀铜具备化学镀铜和超等弥补的双重特性，无需健将层，不妨实行无单薄实足弥补，进而遭到普遍关心。正文在乙醛酸动作恢复剂的化学镀铜溶液中，经过对洪量的控制剂、加快剂的独立、共同介入对化学铜溶液超等弥补的感化，实行了体制的超等化学铜弥补。接洽、归纳了超等化学铜弥补实行的本领，并经过电化学本领对其产生超等化学弥补的机理举行商量。本舆论开始采用了较大的大分子量的增添剂，接洽增添剂的独立介入对化学铜溶液堆积速度的感化。创造分子量为3100的PPG-PEG-PPG三段聚醚（简称PEP-3100），对化学镀铜堆积速度具备较强的控制效率。没有增添任何增添剂的化学镀铜堆积速度是8.2 μm/h，当PEP-3100的浓淡仅为1.0 mg/L时，化学镀铜的堆积速度贬低至2.1 μm/h。当化学铜溶液中PEP-3100浓淡为1.0 mg/L，接洽其增添对各别宽窄微道沟的化学镀铜弥补的感化。断面SEM图截止表白宽窄100~380 nm、深度430nm的道沟均被化学铜实足弥补。线性扫描伏安法测定截止进一步表明PEP-3100对控制化学镀铜的堆积速度有较大的感化；动作比较，接洽了增添EPE-8000（1.0 mg/L）动作控制剂的化学镀铜溶液对微道勾弥补本领的感化，创造EPE-8000对深径比拟小的道勾能灵验弥补，而对深径比拟大的微道勾，弥补时底部简单展示了单薄。本舆论的要害实质为安排、实行实足的超等化学弥补体制。在对超等镀金铜堆积速度接洽的普通上，咱们安排出了实行实足超等化学铜堆积的计划。即经过加快剂加快底部化学铜的堆积，经过控制剂和加快剂的共同效率，共通控制化学铜在道沟口部和外表的堆积，进而实行化学铜对微孔和道沟的实足弥补。在洪量增添剂接洽试验的普通上，咱们创造独立增添SPS对化学镀铜堆积速度有加快效率；固然PEG-4000独立介入对化学铜有控制效率，而SPS和PEG-4000的共通介入，极大的控制了化学铜的堆积速度。运用SPS分子量小，水溶性好，具备较高的分散系数，能平均分别在溶液中，而PEG-4000具备较大的分子量和低的分散系数，进而使PEG-4000在道勾里面产生确定的浓淡梯度的特性，使得PEG-4000在微孔外表和口部具备较大的浓淡，微孔底部浓淡很小。运用SPS和PEG-4000的共同效率，咱们胜利的实行了超等化学镀铜的完备弥补。线性扫描伏安弧线表白，PEG和SPS搀和增添对铜离子的恢复和乙醛酸的氧化都有控制效率。但增添增添剂SPS和PEG堆积的铜膜电阻率较大，倒霉于超大范围集成通路的运用。JGB在低浓淡时具备加快化学镀铜堆积速度的效率，而在高浓淡时对化学堆积速度具备控制效率。在化学镀铜溶液中同声介入JGB和EPE-8000（分子量大概为8000），对化学镀铜堆积速度具备共同控制效率。运用EPE-8000有较小的分散系数，在道勾中产生确定的浓淡梯度和JGB分子量较小的特性，EPE-8000控制道沟口部、外表的化学镀铜堆积速度和JGB加快微道沟底部的化学镀铜堆积速度的共同效率，实行了超等化学镀铜的完备弥补。化学镀铜弥补道沟断面SEM图表白，宽窄从130到520 nm，深度450到770 nm的道沟都能被完备弥补。线性扫描伏安法和搀和电位表面接洽表露，独立增添JGB能加快乙醛酸的氧化，而当独立增添三段聚醚EPE-8000时能控制乙醛酸的氧化。当JGB和EPE-8000搀和增添时，能融合控制了乙醛酸的氧化。大分子的控制剂具备较低的分散系数，小分子的加快剂具备较高的分散系数，往化学铜溶液中增添小分子的加快剂保卫世界和平大会分子的控制剂，运用控制剂对道沟口部、外表的化学镀铜的堆积速度具备控制效率和加快剂对道沟底部的化学铜的堆积速度加快的效率，进而不妨实行超等化学铜的完备弥补。运用该试验道理，经过试验安排，运用小分子的JGB、SPS动作加快剂，运用大分子的会合物PEP-3100、PEG-4000动作控制剂，运用大分子会合物PEP-3100、PEG-4000、EPE-8000和JGB对微道沟底部的化学镀铜堆积速度的共同控制效率，同样能实行完备的超等化学镀铜的完备弥补。运用该试验道理不只可用来超等化学镀铜弥补体制，也不妨用来其余超等化学镀弥补体制。

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