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免费论文摘要:钨酸镉陶瓷制备与微波介电本能接洽

6946 人参与  2022年02月06日 14:28  分类 : 论文摘要  评论

跟着新颖通信行业的兴盛,更加是挪动通信本领和寰球定位体例(GPS)的赶快兴盛,袖珍化与轻型化的微波器件获得了人们日益的关心。个中迩来几年兴盛起来的低温共烧本领(LTCC)不妨灵验的减小器件的尺寸,实行器件莫大集成化变成接洽的热门。LTCC本领诉求微波资料具备较低的烧结温度、符合的介电常数,低耗费和近于零的谐振频次温度系数。但是暂时很多具备杰出微波介电本能的资料常常须要较高的烧结温度而控制其兴盛,连接革新原有微波资料本能和开拓新的微波资料体制变成暂时接洽的重要渠道。正文在钨酸盐的普通上,探求一种新的钨酸镉微波介质陶瓷,在低温下200 oC合成钨酸镉粉末,并烧结出对立密度比拟高的陶瓷,接洽了其微波介电本能;经过掺杂纳米二氧化钛,将钨酸镉陶瓷的最好烧结温度从1025 oC贬低到900 oC,而且安排其谐振温度系数为零,制备出的复合陶瓷满意LTCC本领的诉求,希望变成新式的微波介质资料。正文的重要接洽实质如次:(1)   沿用保守固相法,把WO3 & CdO依照化学摩尔比1:1搀和,混合原料在普遍球磨机中球磨10钟点后,在室温到600 oC各别温度下预烧,XRD表白在200~600 oC温度区间均赢得了单相钨酸镉粉末,钨酸镉具备单斜构造,空间群为p2/c(13)。把在200 oC下预烧的粉末制止烧结成陶瓷,在1075~1200 oC下烧结,所获得的陶瓷具有较高的对立密度,晶粒尺寸跟着烧结温度的升高而减少,在1150 oC晶粒尺寸约18 μm,在1200 oC下,晶粒特殊长大,晶界发端朦胧。在烧结温度区间内,陶瓷均展现出了崇高的微波介电本能。1150 oC下赢得了钨酸镉陶瓷的最好微波介电本能:Q´f=41000 GHz,对立介电常数εr=12.8,谐振频次温度系数τf=-14 ppm/oC。与其余钨酸盐比拟,钨酸镉陶瓷较低的单投合成温度、低耗费和低谐振频次温度系数希望变成新式微波介质资料。(2)   沿用高能球磨法治备钨酸镉,把WO3 & CdO搀和物球磨各别的功夫后在各别的温度下预烧,辨别接洽球磨功夫和预烧温度对钨酸镉单投合成的感化。把各别球磨功夫的搀和物在125 oC下预烧,创造球磨功夫的减少不只利于于钨酸镉单相的产生,并且能灵验的减小钨酸镉粉体颗粒的巨细。最后沿用高能球磨法合成钨酸镉单相的最好前提为:混合原料高能球磨30钟点,在125 oC下枯燥。所获得单相钨酸镉粉末的颗粒巨细约在230 nm。把此粉体在950~1100 oC下烧结,陶瓷的对立密度在92.5 %安排,晶粒尺寸跟着烧结温度的减少而增大,在1100 oC下陶瓷晶界发端朦胧,外表发端展示熔化局面。在1025 oC下烧结的钨酸镉陶瓷展现出了最好的微波介电本能:Q´f=27000 GHz,对立介电常数εr=12.8,谐振频次温度系数τf=-19.3 ppm/oC。(3) 把颗粒尺寸约在50 nm的二氧化钛粉体与高能球磨法治备出的尺寸约在230 nm钨酸镉粉末举行搀和,依照 (1-x)CdWO4-xTiO2(x=0~0.22)化学比举行称量,搀和物普遍球磨5钟点后,制备成生坯在各别的温度区间举行烧结。XRD、SEM、EDS等试验本领表白,钨酸镉与二氧化钛在烧结的进程中未爆发鲜明的化学反馈,二者不妨很好的并存。二氧化钛的增添不只不妨灵验的将钨酸镉的烧结温度区间贬低,并且将温度系数往正目标偏移。复合陶瓷的温度系数受二氧化钛含量与烧结温度的双重感化,最后获得最好的零温度系数陶瓷为0.79CdWO4-0.21TiO2,在900 oC下烧结,微波介电本能为:Q´f=15000 GHz,对立介电常数εr=13.7,谐振频次温度系数τf=0 ppm/oC。

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