免费论文摘要：Cu2S地膜制备及单晶硅片弱氧化制绒接洽

本舆论分为两局部，第一局部为硫化亚铜（Cu2S）地膜的制备及其个性接洽。Cu2S动作新式的P型半半导体资料，其禁带宽窄约为1.2 eV，具有杰出的化学和热宁静本能，是一种杰出的光电资料，所以在地膜太阳能干电池、纳米电门、光催化、冷负极等范围有着很大的运用远景。暂时有很多种本领用来制备Cu2S地膜，如化学气相堆积法、贯串离子层吸附反馈法、喷雾热解法以及水热法等，但是那些本领反馈功夫较长，所需压力、温度较高，操纵较搀杂或本钱高，所以在一个情况和动力题目日益变成寰球兴盛中心的基础下，能在低温溶液前提下大表面积堆积地膜且制备工艺大略、本钱低的化学浴堆积法变成较符合的本领之一。第二局部为带有本征薄层的硅异质结（HIT）太阳干电池的单晶硅片外表弱氧化制绒的接洽。HIT太阳干电池因具备对立高的功效及低本钱的特性而变成暂时开拓最快的一种太阳能干电池。经过在单晶硅片上创造绒面不妨缩小曲射丢失，减少HIT干电池对太阳光的接收，所以普及干电池功效。暂时外表制绒是比拟老练的工艺，传控制绒工艺以氢氧化钠、异丙清醇增添剂为制绒液来创造绒面，然而用这种工艺获得的金字塔尺寸巨细不够平均，使得绒面包车型的士减曲射功效低沉。为了进一步普及HIT太阳干电池对光的接收，有需要探究一种不妨产生金字塔尺寸平均的高品质绒面构造的本领。本舆论简直的接洽实质如次：开始本舆论经过大略的化学浴堆积法在玻璃衬底上堆积Cu2S地膜，接洽了堆积温度对所制备的Cu2S地膜的构造、外表形貌及光学个性的感化。运用X射线衍射仪(XRD)、亚原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱仪(XPS)及紫外-看来-近红外分光灯光计对地膜的构造和光学个性举行接洽。XRD截止表露所制备的地膜为单斜晶相的Cu2S，且堆积温度为40℃时所得地膜结晶度最佳。随堆积温度的升高地膜的厚薄也在渐渐增大。但是堆积温度较低或较高时地膜外表都比拟精细。所制备的Cu2S地膜带隙与其体资料比拟均展示各别水平的蓝移。本舆论初次提出并接洽单晶硅片弱氧化制绒。其重要特性在乎，制绒前过程氧化氢（H2O2）弱氧化单晶硅片产生一层很薄的氧化层，不妨减缓硅片在制绒液中的侵蚀速度而赢得平均的金字塔构造绒面。接洽了弱氧化参数如H2O2浓淡及弱氧化功夫对单晶硅片制绒功效的感化。运用扫描电子显微镜（SEM）查看了绒面包车型的士外表形貌，用紫外-看来-近红外分光灯光计在射程范畴为300-1000 nm 内丈量了制绒后硅片外表的曲射率。经弱氧化的单晶硅片制绒后的外表形貌及曲射率较传控制绒都获得了鲜明的革新和普及，其外表的平衡曲射率低至9.89%。试验截止领会表白最好弱氧化前提为5% H2O第22中学氧化8min。此前提下弱氧化的单晶硅片制绒后赢得的金字塔尺寸平均且曲射率最低。其余，最好弱氧化制绒的单晶硅片所制备的HIT干电池功效较传控制绒单晶硅片所制备的干电池功效普及了1.6%，个中短路交流电和弥补因子有鲜明的普及。

来源：半壳优胜育转载请保留出处和链接！

本文链接：http://87cpy.com/215815.html