免费论文摘要：P型非晶硅地膜制备及AZO地膜外表制绒的接洽

太阳能干电池不妨将光变换为电，对其本能的接洽及运用不妨灵验地处置动力紧急和情况传染题目。本舆论环绕怎样普及太阳能干电池本能，发展了三局部的接洽：第一局部是运用于HIT干电池的P型氢化非晶硅地膜的制备接洽；第二局部是晶硅干电池铝背场的制备接洽；第三局部是掺铝氧化锌（AZO）地膜外表制绒接洽。第一局部运用等离子体体增加强学气相堆积（PECVD）本领制备氢化非晶硅地膜。接洽了硼掺杂浓淡对氢化非晶硅地膜堆积速度、微观构造及光电本能的感化。得出如次论断：微量硼的介入不妨激动氢化非晶硅地膜的成长，在硼掺杂浓淡为0.75 %时，成长速度达到最大为0.11 nm/s。所堆积的掺硼氢化非晶硅地膜均为非晶态，硼掺杂浓淡的减少会普及地膜的非晶化水平。在硼掺杂浓淡为0.75 %时，氢化非晶硅地膜的透光率最大。微量硼的掺入利于于地膜透光率的普及。经过对氢化非晶硅地膜光学带隙的领会可知, 为了增大光学带隙，应尽管减小硼烷的掺杂浓淡。小批硼的掺入会大幅度普及氢化非晶硅地膜的光暗电导率，当硼掺杂浓淡为0.3 %时，光暗电导率均到达最大值，辨别为8.39×10-5 S/cm和4.32×10-5 S/cm。运用硼掺杂浓淡为0.75 %的P型非晶硅制备的HIT干电池比试验室保守参数的HIT干电池功效普及了0.7 %，短路交流电和弥补因子都有鲜明的提高，开路电压变革不大。第二局部沿用热挥发及退火制备Al背场。重要接洽了退火前提对Al背场欧姆交战伏安个性的感化。接洽表白，经过热挥发制备铝背场，不妨获得较低的背交战电阻和重掺杂的P+层。当退火温度为450 ℃，退火功夫为20 min时，背交战电阻到达最小值为63 Ω。还接洽了带有Al背场的HIT太阳能干电池本能，截止表白，Al背场的介入会普及HIT太阳干电池的本能。第三局部初次提出在扶助交流电的效率下运用中性CH3COONH4溶液刻蚀AZO地膜的本领。顺序接洽了侵蚀溶液、侵蚀功夫和扶助交流电对AZO地膜构造及本能的感化。得出如次论断：在超纯身下，扶助交流电不会对AZO地膜的外表形成伤害；各别侵蚀前提对AZO地膜的刻蚀不会变换衍射峰的峰位，AZO地膜展现为较强的C轴选择优秀者取向。跟着侵蚀功夫的减少，AZO地膜外表侵蚀坑的直径变大，深度加深；AZO地膜的透光率变革不大，平衡透光率都在80 %之上。绒面AZO地膜在侵蚀功夫为10 min时，射程为500 nm处的雾度值可达13.9 %，实足适合硅基地膜太阳能干电池前电极的诉求。跟着扶助交流电的增大，侵蚀的坑状构造直径变大，数目变多，深度加深，并赢得扶助交流电为100 mA时，AZO地膜到达最大的光散射强度。经过刻蚀前后AZO地膜电学本能的领会，创造随侵蚀功夫及扶助交流电的减少，AZO地膜的导热性变革不大。决定了AZO地膜外表制绒的最好参数：侵蚀功夫为10 min，侵蚀溶液为5 wt% CH3COONH4溶液，扶助交流电巨细为100 mA。

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