免费论文摘要：半半导体单晶硅炉晶体成长的朦胧PID遏制

半半导体直拉单晶硅炉是以直拉法从融化的多晶硅熔液中成长硅单晶的电子专用摆设。晶体成长遏制器是直拉单晶硅炉机动遏制的中心，单晶炉的晶体成长遏制体例是一个参数非线性和时变的搀杂体例，晶体成长进程受热场温度、提拉速率、转速、坩埚盯梢速率与转速、养护气体的风速与冷却水温度等成分的感化，所以很难创造起晶体成长进程的精确数学模子。 正文在领会和归纳单晶硅炉晶体成长进程的个性后，对准晶体成长进程中难以创造精确数学模子这一特性沿用朦胧PID遏制算法，在体例缺点较大时，偏重于朦胧遏制，普及体例的相应,在体例缺点较钟点则偏重于惯例PID 遏制。运用朦胧遏制思维实行了对PID遏制参数的窜改，使得PID遏制效率可按照各别的缺点情景及遏制周期做相映的安排，实行对晶体成长的有理遏制和安排。 正文所安排的晶体成长遏制体例硬件上沿用研华PPC-153产业计划机，装备A/D及D/A搜集板；软硬件沿用C谈话举行编制程序。经过当场的本质运用，所拉制的单晶直径缺点在±1mm，到达了海外的遏制程度。拉制的单晶表白沿用朦胧PID遏制算法安排晶体成长遏制体例是胜利的，极地面普及了海内单晶硅炉的机动化遏制程度。

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