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本舆论处事接洽的是大表面积PIN InGaAs探测器,对准大表面积PIN InGaAs探测器的特性,计划了光电探测器的道理、参数安排、创造和尝试等重要实质,按照那些道理,研制出了一批本能杰出的光电探测器。本舆论优化了大表面积PIN InGaAs探测器的安排,革新了探测器的器件工艺和器件本能,利于于器件的进一步适用化,博得了如次截止:1.在对PIN InGaAs光电探测器的道理举行进修和计划的普通上,对探测器外延构造做了优化。2.经过新的电极工艺,革新了欧姆交战,俭朴了消费本钱,普及了处事功效。3.经过矫正钝化学工业艺,赢得了越发符合大表面积PIN InGaAs探测器的钝化膜,经过对反射率和曲射率等的计划,获得了最好的增透功效。4.经过对分散工艺前提的探求,获得了最好的分散前提。5.对尝试参数和尝试摆设做了扼要的计划和证明。
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