免费论文摘要：非金属栅/高k构造灵验功因变量调制接洽

非金属栅/高k构造仍旧在亚45 nm节点的CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor，即互补型非金属氧化学物理半半导体）本领中获得了普遍运用，进而连接了晶体管兴盛的摩尔定理。在非金属电极/高k介质构造的诸多题目中，调制灵验功因变量是一项格外要害的工作，因其确定了晶体管处事的阈值电压。但是非金属电极与高k介质间的费米能级钉扎效力遏制了灵验功因变量的调制，所以对于其体制的领会格外要害。同声，Al掺杂调制灵验功因变量这一灵验本领的定量证明也格外要害。其余，在超薄EOT（equivalent oxide thickness，即等效氧化学物理厚薄）前提下（

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