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反钙钛矿构造系列复合物因为充分的物理本质以及潜伏的运用价格获得普遍而深刻的接洽。比方超导、巨磁阻效力、磁致舒卷、磁卡效力、近零电阻温度系数、负热伸展本质之类。但是,具备“反钙钛矿”构造的Mn3XN(C)地膜资料却被接洽得很少,更加是它的晶格变革与磁、电输运本质等鲜有通讯。本舆论旨在经过体例接洽Mn3XN地膜资料的制备工艺,晶体构造及其磁、电输运本质比较粉体的本质,探究其新物性及新功效。本舆论中心发展了Fe4N(Fe3FeN)、Mn3CuN、Mn3Cu(Ge)N和Mn3NiN四个地膜体制的制备与物性接洽。重要接洽功效囊括以次几个上面:沿用对靶磁控溅射本领辨别在单晶Si (100)和GaAs (100)基底上制备了二元反钙钛矿构造Fe4N地膜。领会了基底资料对Fe4N地膜的晶体构造、外表形貌和低温磁性的感化,博得了少许有价格的接洽功效。那些接洽工动作后续三元反钙钛矿构造地膜资料的制备和物性商量供给了试验和表面普通。经过商量各别基底温度对Mn3CuNy地膜的选择优秀者取向、外表形貌和电输运本质的感化创造:跟着基底温度的增大,地膜选择优秀者取向从(111)渐渐向(200)变化。各别基底温度引导的各别选择优秀者取向和颗粒尺寸感化了地膜的外表形貌和室温电阻率值。与粉体比拟,在225 K时爆发了亚铁磁相到顺磁相的变化。其电阻率在所有丈量温区内呈半半导体型导热动作,晶格变革表露平常的热伸展效力,在123 K-298 K温区内平衡伸展系数为 2.49×10-5 K-1。运用对靶磁控溅射初次制备了Mn3Cu(Ge)N地膜,商量了Ge的掺杂效力。电阻率温度弧线跟着Ge的掺杂爆发了渐变,渐变温度Tt 跟着Ge含量的减少而向高温挪动。其余,Ge掺杂变换了磁变化典型,从亚铁磁相变化为反铁磁相,且TN也渐渐向高温挪动。这重要归因于Ge掺杂引导的电子态密度变革。同Mn3CuNy地膜一律,Mn3Cu(Ge)N地膜的电阻率展现为一种半半导体型导热动作,晶格变革也表露平常的热伸展效力,在123 K-373 K温区内平衡伸展系数为 2.05×10-5 K-1。运用反馈磁控溅射本领合成了反钙钛矿构造的Mn3NiN地膜,并初次通讯了其磁阻效力和自旋玻璃态动作。该地膜同样沿(100)晶面选择优秀者成长,晶格变革也表露平常的热伸展效力,在123 K-298 K温区内平衡伸展系数为 1.49×10-5 K-1。与粉体比拟,固然地膜电阻率仍旧展现为半半导体型导热动作,然而在200 K时赢得了高达55 %的磁阻最大值,这比对应的块体资料磁阻最大值大了45 %安排。增大外磁场后截至温度(Tb)转向更低温度,但自旋玻璃态动作并未消逝。因为Mn6N八面体对Mn3XN晶体构造的物性具备要害的感化,所以经过商量N含量对Mn3XNx地膜的电、磁输运本质创造:N含量对Mn3XNx地膜的电输运本质感化不大,但对磁本质具备明显的感化。对Mn3CuNy地膜来说,N缺点普及了磁无序变化温度TC。对于Mn3NiNx地膜来说,N含量的增大减少了磁无序变化温度TN,然而自旋玻璃态动作有弱化的趋向。N缺点会妨害迩来邻调换效率J1和次隔壁调换效率J2之间的平稳,进而引导TC和TN的变革。
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