免费论文摘要：电子聚焦磁场巩固等离子体体淹没离子注入本领优化运用

因为完备无需离子加快器、容易加工外表搀杂作件、注入功效高档便宜，等离子体体淹没离子注入(PIII)本领从来遭到等离子体体物理、资料科学、半半导体加工、微电子本领等稠密范围的普遍关心。电子聚焦磁场巩固等离子体体淹没离子注入(EGD-PIII)本领是在PIII普通上兴盛起来的新式离子注入本领，该本领无需外部等离子体体源，却具备较高的等离子体体密度，杰出的注入功效和便宜的本钱使得EGD-PIII本领具备宏大的产业运用远景。前期接洽表露EGD-PIII本领在举行低离化率资料如氢气、氦气注时髦，离化功效不佳。经过接洽EGD-PIII本领辉光尖端放电个性并领会气体的微观离化学工业机械理，灵验优化EGD-PIII构造，进而革新体例的离化率和注入功效，对实行EGD-PIII本领的产业财产化具备要害意旨。正文重要从EGD-PIII本领的体例构造优化、硅基注氢本质运用和注入进程表面仿真三个上面，辨别打开接洽商量。第一局部由EGD-PIII本领的微观尖端放电机理动手，提出了两种计划来举行体例构造优化。开始经过在安装中介入绝缘尖端放电管来减小高能电子的平衡自在程，减少电子-中性粒子碰撞几率及相映离化率。试验截止表露介入绝缘尖端放电管后的安装注入交流电鲜明增大，注入功效普及。其次在体例中引入环形永磁石，运用磁场对疏通电子的牵制效率延迟电子的疏通路途，进而加大电子-中性粒子碰撞几率，普及体例离化本领。试验中的辉光尖端放电局面及离子密度的丈量表白体例的尖端放电个性和离化率都遭到环形磁石的感化而获得了很大水平的变换和普及。第二局部中心接洽了硅基注氢剂量平均性题目，考证了运用EGD-PIII本领制备SOI资料的可行性。注氢试验截止及相映的数值模仿表白：等离子体体密度越低，离子聚焦效力越鲜明；而靶台偏压对离子聚焦效力的感化水平对立较低。新提出的花洒型阳极EGD-PIII本领不妨革新氢元素注时髦的离子聚焦局面，保护较大表面积上注入剂量的平均性。运用花洒型阳极EGD-PIII注氢的硅基在过程退火处置后，径向各别场所均展示了尺寸及间距较为普遍的氢气气泡，这充溢考证了运用EGD-PIII本领经过Smart-Cut方法治备SOI资料的可行性。第三局部精细引见了三维直角坐标系质点网格-蒙特卡洛碰撞(PIC/MC)数值仿真模子。创造三维PIC/MC模子不妨从尖端放电机理层面上更好的实行对EGD-PIII本领的微观领会接洽，并对将来的试验起到表面引导效率。同声一维PIC/MC发射电波频率尖端放电模子模仿各别功夫电势散布及等离子体体密度散布的截止也考证了咱们所沿用的PIC/MC本领的精确性。

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