免费论文摘要：纳米硅地膜微构造及光个性接洽和纳米硅量子点的制备

正文引见了连年来在纳米硅地膜和纳米硅量子点的制备和物理个性接洽上面的要害发达。精细计划了制备工艺参数对于纳米硅地膜和量子点的微观构造、物理个性的感化。 本课题重要着眼于制备纳米硅地膜和散布平均、尺寸可控的纳米硅量子点，并经过微观构造和外表形貌的领会，连接革新制备工艺参数，制备出优质的纳米硅地膜和纳米硅量点。 开始，接洽了纳米硅地膜的微观构造。经过亚原子力显微镜(AFM)查看到纳米硅地膜的三种外表形貌，这是灵验的遏制制备参数和地膜成长形式的截止。X射线衍射谱和Raman谱领会证明了纳米硅地膜中含有硅晶粒，尺寸在3～7nm。接洽表白纳米硅地膜的制备中气旋量比和衬底温度两个参数起重要的效率，确定着外表形貌，从而感化微观构造。 之后，探究了单晶硅衬底和玻璃衬底上通明的氧化铁(AAO)沙盘的制备参数，并胜利的制备出了孔径60nm安排的AAO沙盘。通明的沙盘在阳光下呈紫色或绿色。 结果，运用等离子体体化学气相堆积摆设，胜利的制备出了自构造成长的纳米硅量子点和借助AAO沙盘的纳米硅量子点的2D构造样本。两种本领的纳米硅量子点尺寸都在20～30nm范畴内。自构造成长的纳米硅量子点多为圆型的颗粒，AAO沙盘法的纳米硅量子点因为沙盘的控制，表露柱状的图形。扫描电子显微镜的领会表白，AAO沙盘法的纳米硅量子点内没有H因素的生存，商量其大概是AAO沙盘的控制形成过小的颗粒内没辙产生Si-H键或Si-O键代替了Si-H键。

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