免费论文摘要：氢化纳米硅地膜制备工艺及其对力学本质感化的接洽

氢化纳米硅地膜(nc-Si:H: Hydrogenated Nanocrystalline Silicon film)中的微晶粒具备量子点特性。 它的传导体制已各别于半半导体资料。 而是属于一种异质结量子点隧穿体制，进而使它具备比单晶硅(C－Si)高出几千倍的电导率。 运用薄层纳米硅膜(厚薄仅十几个nm)研制成的地道二极管在液氮区在I-V及-V特性弧线上表露出量子踏步，具备鲜明的量子输运特性。 因为那些特殊的物理个性，nc-Si:H地膜在光电子产业、成像等百般器件上面的潜伏运用引人夺目，如运用于太阳能干电池、地膜晶体管液晶表露器。 nc-Si:H地膜将变成此后研制量子功效器件的要害资料。力学本质动作表征微电子地膜品质的要害本能之一，也将被关心。正文阐明了在等离子体增加强学气相堆积(PECVD: Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)体例中，用高倍氢稀释的硅烷动作反馈气体，在发射电波频率和直流电双重功率源效率下制备出纳米硅地膜。并运用X射线衍射(XRD)、Raman散射、亚原子力显微镜(AFM)等本领举行表征，对纳米硅地膜的微构造举行体例的接洽；用纳米压痕硬度记丈量纳米硅地膜，发端接洽了其力学本质。领会测考查证了气旋量和温度对产生纳米硅的感化，找到了一组最优化的工艺参数，表白纳米硅地膜是由约占50%的晶粒和平条约占50%的非晶界面所构成，晶粒的直径巨细为2～8nm，晶粒间的非晶界面厚薄约为2～4个亚原子层。跟着硅烷浓淡的减小，地膜的晶粒巨细d和晶态含量Xc减少；经过领会载荷弧线、硬度弧线以及模量弧线，创造地膜颗粒越小，地膜长的越平均，所测硬度和模量的本质也越平均。各别的工艺参数，对地膜力学本质感化很大，跟着衬底温度的升高，地膜的硬度和模量也增大；沟通工艺参数各别衬底上成长出的膜，在玻璃衬底上的硬度和模量小于堆积于硅衬底上的膜的硬度模量值。

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