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集成通路装置业是集成通路财产链中本领难度最大、财产会合度最高的步骤。跟着创造工艺本领的兴盛,除去须满意暂时进步工艺诉求外,进步装置企业正在研制更大尺寸(18英尺)、超细线宽(20nm以次)等下一代工艺摆设,以坚韧商场超过位置。暂时,集成通路装置业并购重组活泼,财产会合度进一步提高,如光刻机、刻蚀机、立式氧化分散炉等要害装置基础上被少量几家国际大企业把持。 正文将以对芯片创造进程中的氧化膜成膜进程中Particle的灵验遏制为目的,经过硬件优化(板滞手Pad的调换、Loading Area中过滤器侧介入光洁网孔板、Loading Area中疏通元件-Elevator、Shutter和Foup Door Opener等优化)、软硬件优化(石英舟回旋遏制步调优化)及工艺前提优化(延迟Wafer Cooling功夫和出舟办法)等本领,以到达控制机台爆发Particle的手段。经过之上几个上面的优化,处置了机台颗粒超目标题目并明显普及了消费线上的产物及格率,正文以1%的提高为目的举行优化。
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