免费论文摘要：自回旋移矩-磁性随机存取保存器的安排与优化

自回旋移矩-磁性随机存取保存器（Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory，缩写为STT-MRAM）是一种新式的非易失性保存器，而且仍旧变成将来通用保存本领中最有出息的一种。更加地，STT-MRAM还被国际半半导体本领宏图构造（International Technology Roadmap for Semiconductors，缩写为ITRS）决定为将来保存集成通路的要害本领之一。STT-MRAM出色的本能招引了很多研制组织的关心，少许还未产业化消费的模子仍旧被证明不妨实行，而遏止STT-MRAM普遍贸易化的一个要害性题目是它的低读出真实性。跟着电子工艺节点的微型化，STT-MRAM保存单位的对立工艺缺点渐渐增大，读取交流电的抗噪裕量减小，重要恫吓到其数据保存的真实性。在这种景象下，除去对创造工艺举行优化和宁静的办法除外，一上面，咱们不妨从通路安排观点动身，减小读通路对工艺缺点的敏锐水平，从而赢得较高的读真实性。另一上面，咱们不妨同声沿用少许惯例的外层通路级大概体例级的真实性安排计划，比方纠错源代码，冗余建设等本领，那些计划具备确定的要害性，在初始误码率不高的情景下，不妨灵验地普及数据保存的真实性。本舆论的接洽目的是，领会STT-MRAM的保存体制，并从两上面发端普及其数据保存的真实性。一上面，对STT-MRAM的读通路举行矫正，普及其对工艺缺点的忍耐度，从而赢得较高的数据保存真实性，并运用Monte Carlo仿真辨别考证了保守读通路和矫正后的夸大锁存读通路的误码率；另一上面，对外层通路中保存遏制器中的纠错源代码LDPC举行了接洽，对其编写翻译码算法做了软硬件仿真和发端硬件实行，为对准新式非易失性保存器举行读通路和外层通路的接洽和安排处事打下了确定的普通。

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