免费论文摘要：纳米地膜预热的分子能源学模仿

    跟着微纳米本领的兴盛，微元器件的尺寸仍旧到达了纳米量级。其散热题目以及对微纳米器件的热安排仍旧变成了接洽中心，以是必需所有领会半半导体资料在纳米标准下的热输运本质。试验表白，在纳米标准下，资料的预热本能与其在直观标准下有着鲜明的辨别。因为在试验和表面上面生存诸多艰巨，分子能源学本领变成接洽微标准预热题目的有力东西。鉴于此，本文华用分子能源本领模仿接洽了纳米标准下单质地膜与界面包车型的士热输运动作，贯串晶格振荡表面深刻接洽了其里面物理体制。重要接洽处事囊括：    沿用非平稳态分子能源学本领模仿了尺寸、温度、缺点掺杂以及面内应急对Si地膜厚薄目标热导率的感化。截止表白，跟着地膜厚薄的减小，声子平衡自在程减小，热导率将展现出空间上的微标准效力。而温度升高使得平衡声子数增大，贬低了声子的弛豫功夫，进而贬低了热导率。掺杂或空隙缺点对热导率的感化重要根源于其对高频声子的感化，高频声子简单与动作缺点的掺杂亚原子之间爆发散射，进而贬低了声子的弛豫功夫，从而感化热量的传播。    经过对各别面内应急状况下硅地膜热导率的模仿，截止表白拉伸会贬低热导率。跟着拉伸应急的减少，高频声子展现出鲜明的红移，即频次减小，而收缩引导高频声子的蓝移，即频次增大。声子群速率的贬低以及高频声子间效率巩固是重要成分。经过对色散联系进一步的领会表白，横向光学支(TO)声子群速率的变换是引导面内应急下预热本能变换的要害成分。    沿用非平稳态分子能源学本领模仿了尺寸、温度、界面缺点对Si/SiO2地膜资料界面热阻的感化。与热导率一律，跟着模子尺寸的增大，更多的中波声子不妨出此刻体制中，而中波声子确定着地膜的预热本能，界面热阻展现出鲜明的尺寸效力。跟着温度的升高，有更多的声子被激励出来，界面一侧的高频声子过程散射进程爆发了广播段声子，更简单穿过界面。而界面缺点控制了热流的传输，引导界面热阻的增大。

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