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免费论文摘要:纳米碳化硅多孔隔音资料的耐温个性接洽

7354 人参与  2022年04月06日 18:57  分类 : 论文摘要  评论

高气孔率的纳米碳化硅多孔陶瓷在高温隔音资料上面具备要害运用,但高键能的Si-C键使SiC颗粒须要在较高温度下烧结,减少了制备本钱,且SiC的高热导率也倒霉于资料的隔音功效,所以本接洽提出了预氧化SiC颗粒的本领,使其外表爆发一层易烧结且热导率低的非晶SiO2,并经过遏制氧化来到达不只能贬低资料的烧结温度和热导率,且保护资料的高温宁静性的手段。经过注凝成型,运用溶剂置换制备高气孔率的SiC@SiO2 纳米多孔陶瓷,开始运用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)领会了预氧化产品的物性构成及构造,接着运用阿基米德排水法丈量了SiC@SiO2 烧成试样的开气孔率和体积密度,并经过压汞仪(MIA)和扫描电子显微镜(SEM)领会了多孔陶瓷的孔形貌及孔径散布,结果借助试验室自组建安装尝试了资料的热导率并领会了其隔音功效。截止表白:预氧化SiC在其外表天生了一层非晶SiO2,且其厚薄跟着氧化功夫和温度的减少而增大;溶剂置换能灵验贬低生坯的枯燥中断;较低的固相体积分数,较小的非晶SiO2层厚薄,及N2氛围下烧结都利于于多孔陶瓷的较高气孔率;烧结中断点保鲜不许革新SiC@SiO2纳米多孔陶瓷的耐温本能,但较低的预混液浓淡却利于于其高温耐温本能;所用SiC@SiO2粉体的非晶SiO2层厚薄越小,SiC@SiO2烧成试样的气孔率越高,孔径越小,SiC@SiO2多孔陶瓷的热导率就越低,隔音本能就越好;当所用SiC@SiO2粉体的非晶SiO2厚薄为3.1 nm时,用乙醇浸泡生坯至其实足遗失弹本能使SiC@SiO2坯体的径向枯燥中断率降至15%,坯体能在1000 ℃烧结且体积密度为0.5 g/cm3及气孔率到达82%,1200 ℃烧成试样的孔径巨细会合在200 - 300 nm之间且当只商量热传导预热时,按照串联模子计划出多孔陶瓷的热导率仅为0.03 W/(m·k),1500 ℃热处置之后多孔陶瓷的气孔率仍能到达75%,故此高气孔率的SiC@SiO2纳米多孔陶瓷表露了较好的耐温性和隔音本能。

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