免费论文摘要：ALD制备HfO2、ZnO纳米地膜的构造与光、电本能接洽

摘  要半半导体器件的集成化和袖珍化对电极涂层本能提出了更高诉求。高介电氧化学物理做为代替SiO2的潜伏资料，变成暂时微电子范围的接洽热门之一。普及绝缘栅层的介电常数，对MOSFET等微元器件的处事个性至关要害。本课题对准HfO2介电地膜，贯串光学本能较好的宽禁带半半导体ZnO，经过两种氧化学物理地膜的瓜代堆积，制备了HfO2/ZnO复合纳米地膜，接洽了界面临复合地膜介电本能的感化，以及地膜介电、光学本能随ZnO层厚薄的变革顺序，具备科学意旨与运用价格。本论文华用亚原子层堆积本领，开始接洽制备了HfO2、ZnO地膜，赢得了堆积工艺对氧化学物理地膜构造及本能的感化顺序。截止表白，HfO2、 ZnO地膜的结晶度随堆积温度贬低或脉冲功夫减少而低沉，且脉冲功夫对ZnO结晶度的感化越发明显。其余，堆积工艺对地膜的光学带隙感化不大，制备的HfO2、ZnO地膜的光学带隙辨别为5.5 eV和3.2 eV。在上述赢得HfO2与ZnO单层膜堆积工艺的普通上，瓜代堆积制备了HfO2/ZnO复合纳米地膜。经过XRD、TEM构造构造查看领会，赢得了多层膜界面临地膜构造的感化，并贯串地膜的介电频带、C-V个性及紫外/看来光谱，赢得了HfO2/ZnO界面数目、完备性对地膜介电本能及光本能的感化顺序，创造纵然介电频次个性对立于单层膜爆发变革，完备的异质界面诱发Maxwell-Wagner弛豫效力，进而极大水平地普及了地膜介电常数。同声地膜的光学带隙因为量子尺寸效力爆发蓝移，最大可达3.5 eV；而界面不完备时，复合地膜的介电常数低于HfO2单层膜，且光学带隙为3.2 eV，没有尺寸效力。为进一步赢得ZnO层对复合地膜的介电、光本能的感化顺序，HfO2子层恒定为1.7 nm时，接洽了各别ZnO层厚薄时，复合地膜的介电频带、阻抗个性及紫外/看来光谱个性。接洽创造，复合地膜厚薄恒定为90 nm时，随ZnO厚薄减少的同声异质界面数目贬低，地膜的介电常数仍有大幅普及，ZnO厚薄减少到13.6 nm时，介电常数达330，表白对于复合地膜ZnO厚薄对立于界面数目，对介电常数的感化越发明显，同声截至频次随ZnO厚薄减少而升高，高介电常数可连接至 ~ 106 Hz，鉴于Maxwell-Wagner弛豫效力领会得出，复合地膜中生存的导热子层是普及介电关系个性的要害成分。

来源：半壳优胜鲸鱼幸运星转载请保留出处和链接！

本文链接：http://87cpy.com/281077.html