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豆芽网:柔性衬底非晶/微晶硅地膜太阳能干电池因为其具备低本钱和容易成型等特性,连年来获得了普遍的关心。
在NIP构造的地膜干电池中,动作窗口层的P型硅地膜因为其堆积和掺杂前提的特出性,引导了所制得地膜品质的不宁静;同声P/I界面包车型的士感化也是规范太阳干电池光电变换功效的重要成分之一。
正文运用RF-PECVD摆设,经过安排在P型地膜制备进程中的气体掺杂比、功率密度、衬底温度和成长功夫,赢得各别成长前提下的硅地膜,经过非晶地膜的光暗电导的尝试比较,获得符合非晶硅地膜成长前提为掺杂比SiH4:CH4:B2H6:H2=40:3:8:40,功率密度和衬底温度辨别为20W和200℃;运用资料的XRD和拉曼光谱领会,接洽了微晶硅地膜的成长顺序,初次提出了非晶/微晶硅复合层的观念。
同声,咱们接洽了缓冲层对P/I界面包车型的士感化,运用J-V弧线尝试举行了各别缓冲层感化柔性衬底硅地膜干电池的光电变换功效的比较。结果,运用化学气相堆积的本领,研制了具备缓冲层的非晶P型地膜太阳干电池,其功效已逼近于4%。
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