免费论文：0.35微米CMOS高低压混合芯片ESD保护的实现

有机发光显示器(Organic Light-Emitting Display，OLED)具有超薄、主动发光、高亮度、高对比度、宽视角、宽工作温度范围、低功耗、低成本、全固态等优点，是当前最先进的显示技术。但是实现OLED驱动IC的工艺为芯片代工厂新开发的专门用于该种芯片的0.35微米的CMOS高低压混合工艺，再加上该芯片属于PAD-Limited型芯片，因此如何利用这种新工艺在有效的面积上实现芯片的静电放电（ESD）防护设计成为开发该种芯片的关键技术。本论文首先介绍了静电放电的基本知识和理论作为进一步开展论文工作的基础，这些基本知识主要包括静电放电的四种模式及其工业测试标准和静电放电测试方面的基本常识。然后详细分析了CMOS集成电路中静电放电防护设计常用的方法和理念，在这些设计方法和理念的指导下，选择了适合我们芯片的ESD防护设计方案，主要包括输入级、输出级、电源输入、VSS输入、不同电源之间以及全芯片静电放电防护方案的选取。再接下来详细的分析了目前业界为了改进静电放电防护能力开发出来的相对比较先进的静电放电防护设计方法来作为整个论文一个完整的补充，以期能对将来采用更先进的制程和更先进的ESD防护设计做一个有意义的探索，这些先进的技术主要包括工艺上的改进、器件上的改进和电路上的改进等。最后着重给出了适合我们工艺和芯片的静电放电防护设计方案的实现，主要包括电路的实现、版图的实现、性能的分析、失效原因的查找以及改进方法，并通过两次流片验证了我们选取的方案是行之有效的方案。本文系统总结了芯片级ESD静电放电和CMOS集成电路静电放电防护设计方法，给出了适合我们芯片上市要求的静电放电防护设计方案。相信随着OLED技术的更加成熟和成本的进一步降低，这颗芯片能在不久的将来为我们公司带来丰厚的回报！

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