免费论文：SiO2包覆β- Si3N4柱状晶构架多孔透波陶瓷

摘 要多孔氮化硅可看作氮化硅与气孔的复合体，兼备了氮化硅与多孔陶瓷的便宜，从来深受国表里鸿儒的关心。动作高温透波资料，多孔氮化硅满意轻质、耐热和宽频透波的诉求，在导弹地线罩和航天器通讯窗口上面有着普遍的运用远景。因为氮化硅由共价键形成，很难烧结，暂时国表里均沿用增添助剂活化烧结工艺，或在较高的温度下举行热等静压烧结、真空热压烧结和氛围烧结。那些烧结工艺比拟搀杂，而且大普遍助烧结剂都对多孔氮化硅的介电本能和高温力学本能爆发倒霉感化。对于多孔体气孔率的遏制，多沿用增添纳米碳粉、酚醛树脂和小粉等动作造孔剂的本领。为了在烧结进程中脱除造孔剂，须要比拟搀杂的烧结工艺，并简单形成残留造孔剂惹起的反馈，逆转资料的本能。之上两个方面临多孔氮化硅陶瓷在透波资料上的运用都生存倒霉感化。本接洽运用正硅酸乙酯的水解制备SiO2先驱体溶胶，采用柱状β-Si3N4和SiO2先驱体溶胶为材料，沿用真空抽滤工艺，使柱状β-Si3N4彼此搭接构架多孔构造，并在Si3N4颗粒外表包覆一层SiO2先驱体溶胶，大气氛围较低温度下烧结制得β-Si3N4外表包覆一层SiO2的网状多孔透波资料。经过领会各别烧结轨制下氮化硅多孔透波陶瓷的氧化增重、气孔率、抗弯强度、介电常数和介电耗费等本能参数，决定了1350℃下保鲜2h为最优烧结工艺。参观了溶胶粘度、溶胶浓淡、浆料固含量和粒径散布等成分对氮化硅多孔透波陶瓷气孔率的感化。经过对颗粒配比的遏制，实行了气孔率可控，获得气孔率介于35.0%-42.0%、抗弯强度介于35.5MPa-72.5MPa、介电常数介于3.5-4.0、介电耗费居于10-3数目级的一系列氮化硅多孔透波陶瓷。对所制备的氮化硅多孔陶瓷的抗弯强度、介电常数举行表面领会，本质丈量值与表面计划值基础符合。

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