免费论文：六角形纤锌矿GaN纳米线力学本能的分子能源学接洽

宽禁带Ⅲ-Ⅴ族复合物半半导体 GaN(3.39 eV) 具备热导率大、电子饱和速率高、击穿场宏大及物生化学本质宁静等崇高个性,在兴盛短波光电器件(如蓝色、紫色发亮二极管和近紫外短波莱塞) 、微波半半导体器件保卫世界和平大会功率、耐高温器件中 ,具备潜伏的运用远景 ,变成暂时遭到一致关心的第三代半半导体资料。然而因为百般试验前提的控制，没辙测得GaN纳米资料器件的多种力学参数以及力学动作变革，不许保护纳米器件的精确及安定运用，使得GaN纳米资料并没有获得充溢的运用。但是分子能源学不妨盯梢亚原子的疏通进程，并接洽搀杂分子的热力学、构造、力学本质，更加是不妨查看体制的动静演化，接洽很多与功夫关系的能源学本质。正文运用分子能源学本领接洽沿[0001]目标成长的六角形纤锌矿构造（WZ, P63mc）GaN纳米线的加载及卸载进程，在加载进程中创造四角形构造（T-4，P42/mnm）的GaN纳米线，重要领会两种GaN纳米线的力学本能，接洽各别横截面尺寸和温度对相变爆发和力学本能的感化。当横截面纳米标准从19.38 Å减少到45.22 Å时，相形成核应力由32.83 GPa降到24.56 GPa, 纤锌矿构造和四角构造的弹性模量辨别贬低了29.95%和36.85%。接洽创造样本的温度效力特殊鲜明，当温度由300 K升到1800 K时，横截面尺寸为32.3 Å的GaN纳米线的相形成核点应力由26.65 GPa降到13.71 GPa。将卸载后搀和构造的GaN纳米线升压处置，构造回复到初始六角纤锌矿构造，由此爆发了形势回顾效力，并对各别横截面标准GaN纳米线的形势回顾效力做了发端的探究和接洽。

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