免费论文：笔直记委派FeCoNbB软磁底层地膜的制备及磁本能接洽

因为消息本领与消息财产的赶快兴盛，人们须要保存和处置的消息量急遽延长，由此启发了笔直磁记载本领的赶快兴盛。笔直磁记载底层软磁地膜在所有笔直磁记载体例中的重本地位诉求它不只完备崇高的软磁本能，同声还能贬低读出消息时爆发的乐音。接洽笔直磁记载底层资料具备表面意旨与运用价格。暂时重要用来制备底层地膜的资料有保守的Fe基以及Co基非晶合金，如FeTaC、CoTaZr、CoNbZr等；纳米晶双投合金以及FeCo系非晶合金，也由于其具备高于保守Fe基和Co基非晶的饱和磁化强度而备受夺目。本课题重要对准FeCoNbB地膜，接洽了功率、气压、缓冲层等制备工艺以及各别缓冲层对其构造与磁本能的感化顺序，并举行了偏置磁场与地膜各向异性的彼此联系接洽，商量各向异性产生的内涵体制。对地膜构造及磁本能的接洽表白，Nb含量在很大水平上感化地膜的微观构造以及磁本能。Nb含量为4.9at%时利于于赢得软磁本能崇高的晶化FeCoNbB地膜；而Nb含量为7.5at%时可获得矫顽力为1Oe 的非晶态地膜。其余，比拟玻璃基片，沿用Si基片、且靶基距为70mm时，利于于普及地膜磁本能。对准各别缓冲层对FeCoNbB地膜的感化接洽表白，70W，0.8Pa下发射电波频率溅射的Co缓冲层不只不妨贬低FeCoNbB地膜的矫顽力，还不妨减小其外表精细度。然而，因为Co缓冲层自己较差的软磁本能，跟着缓冲层厚薄的减少，FeCoNbB地膜的矫顽力也随之增大。进一步接洽表白，运用Ni动作缓冲层，不妨很好地处置这一题目。在上述接洽普通上，进一步接洽了偏置磁场与地膜各向异性的联系。接洽表白，FeCoNbB地膜的易磁化轴沿偏置磁场取向。但是过程250℃、30min热处置后，各向异性消逝。Nb含量较少时，地膜的各向异性场随偏置磁场的减少而减少，并在偏置磁场大于30Oe时宁静于45Oe邻近。进一步接洽地膜中的易磁化目标与偏置磁场以及应力状况的联系的截止表白，压应力倒霉于面内各向异性的产生，当Nb含量大于10at%时，地膜表露笔直各向异性。经过小批Si元素的增添使饱和磁致舒卷系数减小，进而控制了笔直各向异性。其余，偏置磁场能变换地膜的应力状况，当面内各向异性以及笔直各向异性均有奉献，最好偏置磁场值约为45Oe。

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