免费论文：电子聚焦磁场巩固等离子体体淹没离子注入物理进程接洽

等离子体体淹没离子注入(PIII)已普遍运用于资料的外表改性，其运用范围从冶金扩充到半半导体、微电子及底栖生物工程等范围。电子聚焦磁场巩固等离子体体淹没离子注入(Enhanced Glow Discharge Plasma Immersion Ion Implantation， EGD-PIII)本领是一种在PIII普通上兴盛起来的新式离子注入本领。该本领沿用空腹点状阳极保卫世界和平大会表面积圆形负极靶台，运用二次电子的聚焦效率及其与中性粒子的碰撞爆发等离子体体，不须要特殊的离子源摆设即可实行宁静的辉光尖端放电。接洽EGD-PIII的电子聚焦效力和矜持的辉光尖端放电个性对于领会EGD-PIII的尖端放电进程，革新注入功效具备要害意旨。正文大略概括了粒子模仿法(PIC)和蒙特卡洛本领，并精细引见了粒子模仿-蒙特卡洛(PIC/MCC)模子模仿EGD-PIII尖端放电的全进程，囊括模子创造，边境前提树立，粒子和磁场的权重，节点电势的求解，粒子的疏通及碰撞，并归纳了模仿中该当提防的题目。领会了二维PIC模子模仿EGD-PIII物理进程的不及，并对PIC算法举行优化。创造了EGD-PIII尖端放电的二维PIC/MCC数值模子，盯梢了带电粒子的在一个脉冲功夫内的疏通，赢得了空间离子总额、电势散布、等离子体体密度散布以及注入剂量等消息。模仿截止表白二维PIC/MCC模子不妨定性地证明二次电子爆发，但还不许实足反应EGD-PIII的自辉光尖端放电个性，注入剂量的散布也与之前的试验截止不太符合。创造了EGD-PIII尖端放电的三维PIC/MCC数值模子。模仿截止表白三维PIC/MCC模子克复了二维PIC/MCC的缺陷，能很好地模仿EGD-PIII的尖端放电个性。在等离子体体密度较低时，电子聚焦效力较为鲜明，不妨实行矜持的辉光尖端放电。接洽了各别的脉冲负偏压和等离子体体密度对注入进程及注入功效的感化。

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