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透明导电氧化物(TCO)薄膜由于其良好的导电性和可见光区域的透明性而被广泛应用于平板显示设备和太阳能电池中。钨掺杂氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜具有高载流子迁移率和低载流子浓度,因此在可见光和近红外区域具有高透射率,同时保持优异的导电性。本文采用射频磁控溅射技术和氧化铟钨陶瓷靶材在室温下制备了IWO(钨掺杂氧化铟)透明导电氧化物薄膜,拓宽了IWO薄膜与非耐高温材料的结合。 .通过XRD、XPS、SEM、傅里叶变换红外光谱和霍尔效应等多种检测方法,研究了各种薄膜制备工艺参数对IWO薄膜的晶体构型、表面形貌、元素组成、不同波段的透光率的影响。 .阐述了过倍率和薄膜电性能的影响,以及它们之间的内在联系和微观机理。最低电阻率为3.1×10-4Ω·cm,载流子浓度为8.9×1020cm-3,载流子迁移率为21cm2V-1s-1,平均可见光透射率约为85%。 IWO 薄膜样品在 2200 nm 范围内的平均透射率大于 78%。普通TCO薄膜表面规则平整,光的镜面反射强,入射光没有得到有效利用。本文采用聚苯乙烯(PS)微球模板法结合常温射频磁控溅射技术,通过在原IWO薄膜表面添加块状微网格,改变原IWO薄膜的表面形貌,减少镜面反射率和增加的漫反射率增加了光进入薄膜的次数,从而提高了薄膜的光电性能。不同波段的表面形貌、透光率、测试了不同波段的光学漫反射率和薄膜的电学性能,分析了薄膜表面的体微网格结构对薄膜光电性能的影响,并分析了表面体微网格结构对薄膜光电性能的影响机制。电影进行了阐述。样品的最低电阻率为2.35×10-4Ω·cm,载流子浓度为11.7×1020cm-3,载流子迁移率为22.5cm2V-1s-1,平均可见光透射率约为78%。 2200nm范围内平均透过率大于70%,平均漫反射率在5%以上。上述参数与原IWO薄膜相比有变化:电性能提高15%以上,透光率降低8%以内,漫反射率提高150%以上。
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