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磁传感器的运用深刻咱们生存的各个上面,波及了简直一切的工程和产业范围。跟着高科技的兴盛,对磁传感器的精度和精巧度提出了更高的诉求。比方,在医弟子物磁丈量上面,典范的心脏磁场为10-9~10-10T,脑磁场为10-11~10-12T。暂时,在商品化的磁传感器中不妨到达这种级别丈量精度的惟有超导量子干预仪(SQUID)。然而,因为SQUID自己的特性,其安排创造和运用均比拟搀杂且造价对立高贵。所以,新式高精巧度磁传感器仍旧是寰球列国科学家接洽的热门。巨磁阻抗效力(GMI) 的创造为研制高精巧度的磁传感器带来了新的探究目标。鉴于GMI效力创造的磁传感器具备高精巧度、相应速率快、低功耗及容易袖珍化等特性,使得GMI效力在磁传感器范围有着很大的运用远景。本课题组贯串超半导体的个性,提出了GMI/超导复合磁敏锐器。该复合传感器希望不妨代替SQUID变成新式的高精巧度磁传感器。 正文精细引见了非晶带巨磁阻抗效力关系表面。接洽了鼓励交流电参数和偏置交流电参数对其巨磁阻抗效力的感化,从交流电的观点领会了普及巨磁阻抗效力的优化计划。贯串国际相关巨磁阻抗效力的最新接洽动静,正文从阻抗相位随磁场变革顺序的观点接洽了巨磁阻抗效力磁传感器的优化计划。阻抗囊括幅值和相位两个局部,有着各别的变革顺序,阻抗相位的变革顺序动作阻抗幅值接洽的弥补,具备极大的接洽价格。除此除外,沿用谐振道理创造出的具备谐振效力的巨磁阻抗器件,不妨很大幅度普及巨磁阻抗效力。正文对谐振巨磁阻抗效力的道理和相关制备本领举行了阐明。为了实行GMI/超导复合磁敏锐器,须要制备出微型GMI磁传感器。地膜构造GMI磁敏锐资料是制备微型GMI磁传感器的最好采用。正文对沿用双离子束堆积地膜本领制备CoSiB地膜的本领举行了接洽,为实行GMI/超导复合构造奠定了普通。除此除外,正文还对GMI/超导复合磁敏锐器中的要害构造——超导环的制备举行了接洽,并对超导环的超导变化温度和临界交流电密度丈量本领做了接洽。结果,对GMI/超导复合构造模子举行了安排,并做了局部试验对复合模子的可行性举行考证。
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