免费论文：典范微波功率器件要害本能参数温度感化接洽

跟着雷达处事频次的普及，砷化镓场效力管 (GaAs MESFET）渐渐代替了硅双极型晶体管变成暂时有源方阵雷达体例中运用最为普遍的微波功率源。GaAs MESFET本能受温度的感化较大，当温度变革时，其电学个性、物理参数相映地爆发变革。比方跨导在高温情况下会爆发畸变，这会对通路的处事本能爆发不良感化。器件温度的变革，大概是因为情况温度的变换，也大概是因为器件的自升压效力。跟着GaAs MESFET输入功率的连接普及，自升压效力将越发明显。所以，接洽温度对GaAs MESFET要害本能参数的感化顺序格外需要。舆论对准GaAs MESFET要害本能参数的温度感化发展了如次接洽：第一，经过领会GaAs MESFET的创造工艺、物理构造、处事道理，以及典范GaAs MESFET器件漏极、电极、源极的资料属性和好多参数，创造了反应GaAs MESFET物理构造的等效通路模子。经过集成通路工艺和器件本领的计划机扶助安排本领（IC-TCAD）对创造的物理基模子举行了考证。第二，决定了等效通路模子中受温度感化明显的模子元件，并接洽了模子元件受温度感化的物理体制。中心领会了GaAs本征载流子浓淡、肖特基自行建造势、GaAs介电常数、GaAs禁带宽窄、夹断电压、GaAs载流子迁徙率、GaAs电子饱和速率等物理参数受温度感化的顺序，创造了模子元件参数和温度值之间的定量联系。第三，按照创造的GaAs MESFET等效通路模子，在微波EDA软硬件中搭建了等效通路模子，举行了各别温度值下的直流电参数扫描和S参数扫描，表征了GaAs MESFET要害本能参数随温度的变革联系。采用了两种型号的GaAs MESFET器件，运用舆论接洽的本领，在微波EDA软硬件创造了等效通路模子，模仿了其要害本能参数随温度的变革联系，并经过与文件中的丈量数据举行比较，考证了模子的实用性。舆论建立了鉴于物理个性的GaAs MESFET等效通路模子，不只可用以刻画固态微波功率器件本能参数与器件物理构造之间的联系，同声无助于于器件安排职员举行构造安排和工艺参数优化；舆论揭穿了温度对微波功率器件要害本能参数的感化顺序，这不妨为GaAs MESFET的散热安排和保护器件的平常处事供给需要的参考。

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