免费论文：纳米银膏的制备及烧结贯穿机理的接洽

跟着微电子封装本领的兴盛，保守芯片级互连资料表露出很多不及，为满意暂时电子产业范围宽带隙半半导体器件高温封装的诉求，正文接洽了一种能用来芯片级互连的新式资料和互连工艺——纳米银焊膏低温烧结贯穿本领。辨别于保守焊料合金的回暖焊工艺，该封装互连资料是在远低于银熔点的温度下经过烧结工艺来实行芯片的封装贯穿。该纳米银膏可在250℃、3MPa、5min的烧结前提下实行烧结贯穿，其接洽具备较高的剪切强度，而且接洽在高温下具备较好的宁静性，符合于高温下从军的功率元器件的封装互连。贯串保守烧结的基础表面和纳米非金属颗粒自己所具备的个性，自行制备了纳米银膏并实行了镀银铜块的焊接。以聚乙烯吡咯烷酮为养护剂运用乙二醇恢复王水银制备出纳米银颗粒。用该方法治备出的纳米银颗粒，在其外包覆着一层有机膜，不妨灵验遏止纳米银颗粒的聚会和聚结。经过对银非金属颗粒尺寸对银焊膏烧结贯穿感化的领会接洽，创造纳米银焊膏在低温工业气压下比忽米银焊膏更简单获得杰出的烧结接洽。银非金属颗粒的微观形貌对烧结贯穿感化的接洽则表露跟着银颗粒形貌从纳米球-纳米球线搀和-纳米线-忽米银的变革，其比外表积渐渐缩小。其相映的烧结贯穿接洽的剪割断口亦从镀银层与烧结银层贯穿界面中断开的地区渐渐增加且烧结层的构造质密度也在相映贬低。烧结压力对烧结贯穿感化的接洽表露，跟着烧结压力的增大，接洽的剪切强度渐渐增大，烧结层与镀银层间的冶金贯串亦愈来愈好。烧结温度对烧结贯穿感化的接洽表白，跟着烧结温度的增高，纳米银焊膏的烧结水平越来越鲜明。纳米银膏烧结贯穿接洽剪切强度的尝试创造，当烧结温度大于或即是250℃，烧结压力大于或即是3MPa时，接洽烧结5min就可到达20MPa之上的接洽剪切强度。接洽的高温积聚试验表白，纳米银烧结接洽在高温下未爆发任何变革，相较于锡铅焊料，其接洽在长功夫高温下从军下的真实性更好。

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