免费论文摘要：非晶硅地膜和多层锗纳米晶的制备及其个性接洽

    氢化非晶硅(a-Si:H)地膜有较宽的光学能隙、高光敏性、便宜等便宜，在光电器件，太阳干电池中普遍运用。镶嵌于电解质(如SiO2)膜中的Si和Ge纳米晶，在光元器件、光伏、积聚器等上面有着要害的潜伏运用。本论文华用等离子体体巩固的化学局面堆积(PECVD)法治备非晶硅地膜，对非晶硅地膜的光学个性举行了接洽。用Delphi 7自行安排计划软硬件领会模仿所制备的a-Si:H地膜的透射光谱，可一次性、精确地计划出地膜的多个光学参数。用发射电波频率磁控溅射及退火方法治备了镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶，对其构造举行了XRD，Raman散射和TEM接洽，用XPS领会了Ge的化学状况，得出如次论断：(1) 对用透射光谱和模仿退火算法决定地膜光学参数的本领举行了矫正。该本领不依附于干预条纹和通明区的生存，所以符合于处置百般各别的透射光谱，是一种一致实用的本领。它不只能一次性决定地膜的多个参数，并且还灵验地制止领会的多值性题目。(2) 用面向东西的步调安排谈话Delphi 7独力开拓出了模仿地膜透射光谱的软硬件，用该软硬件能一次性的决定地膜的多个光学参数，界面和睦，操纵简单。(3) 接洽得出所制备的a-Si:H地膜的光学参数为：厚薄d=715.0 nm，外表均方根精细度σ=20.5 nm，反射率：n=9.5737×104/l2+2.×9155，接收系数：lgα=1.2869×106/l2-6.5896，光学带隙约为2.15 eV。(4) 初次提出用超晶格本领来制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。对立于保守的在单层SiO2膜中制备的Ge纳米晶，用该超晶格本领获得的多层Ge纳米晶具备密度高、尺寸和场所散布平均的便宜。

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