免费论文摘要：偏铌酸铅高居里温度压电陶瓷的制备与改性

高温压电陶瓷资料，必需在较高温度下不爆发构造相变而感化其压电本能，且各项本能参数具备较崇高的高温运用个性，本领长久居于高温状况下处事而宁静真实。正文以PbNb2O6基高温压电陶瓷为重要接洽东西，经过A位代替以及A、B位同声代替的本领，沿用规范电子陶瓷工艺胜利制备了Pb1-xLa2x/3Nb2O6 (PLN，0.015 ≤ x ≤0.06)、Pb1-xLa2x/3(Nb1-yTi5y/4)2O6 (PLTNx/025、PLTN和PLTNx/075，0.015 ≤ x ≤ 0.06，y = 0.025，0.05，0.075) 和Pb1-xCax(Nb0.95Ti0.05)2O6 (PCTN， 0 ≤ x ≤ 0.065)陶瓷。接洽了La、Ca、Ti代替对资料物相构造、显微构造以及介电、压电本能的感化。赢得了以次几上面的截止：（1）偏铌酸铅基高温压电陶瓷资料在烧结和冷却进程中因为晶粒特殊成长、相变惹起较大概积变革引导陶瓷简单产生裂纹。La掺杂的Pb1-xLa2x/3Nb2O6 (PLN，0.015 ≤ x ≤0.06)陶瓷对立密度鲜明普及，最大值到达95%。跟着La含量的减少PLN陶瓷ao、co轴的比值和晶胞体积（V）渐渐贬低，这无助于于PLN陶瓷的烧结和晶粒的成长。SEM表白La的代替细化了晶粒，使晶粒由从来的柱状晶变为等轴状晶粒；介电温谱表白La的引入贬低了资料的居里温度，但一切资料的居里温度在x ≤ 0.06都在540℃之上。与惯例工艺下纯的偏铌酸铅比拟，PLN陶瓷的压电本能也普及，其压电常数d33～67pC/N。（2）初次沿用La、Ti双位代替，制备了PLTNx/025和PLTNx/075高温压电陶瓷。SEM表白La代替Pb控制晶粒的成长，而Ti代替Nb激动晶粒的成长。对于La、Ti共掺的PLTN陶瓷，X射线领会表白La、Ti共掺不只贬低了菱方—四方的相变化温度，同声宁静了PLTN陶瓷的正交铁电相。La的介入控制了晶粒成长、气孔和裂纹的天生，普及了陶瓷的对立密度。最大对立密度到达97%。La3+代替Pb2+鲜明普及了PLTN陶瓷的压电常数(d33)，贬低了其介电耗费(tanδ)。x = 0.015样本具备高的居里温度（Tc= 560℃）、低的介电耗费（tanδ = 0.0054）和机电品德因子（Qm = 15.16）、崇高的压电常数（d33 = 92pC/N），资料可在高温情况下运用。（3）沿用保守电子陶瓷工艺制备了PCTN高温压电陶瓷，接洽了Ca和Ti对陶瓷的显微构造、相构造、介电及压电本能的感化. X射线衍射领会表白，Ca和Ti的双位代替均产生正交铁电相，而沟通方法治备纯的PbNb2O6，只能获得菱方非铁电相钨青铜构造。跟着Ca含量x的减少，晶胞体积减小。 介电温谱尝试表白该改性资料具备高居里温度(Tc＞530℃)。当Ca掺入量x = 0.055时，获得压电常数d33= 86 pC/N、平面机电啮合系数Kp = 0.32、板滞品德因子Qm= 31.9、居里温度Tc = 536 ℃的陶瓷资料可在高温（300℃）情况下运用。

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