免费论文摘要：多晶硅太阳干电池创造及氧化亚铜地膜制备接洽

本舆论包括两个局部。第一局部，咱们做了与多晶硅太阳干电池产业消费关系的接洽。第二局部，咱们接洽了一种具备后劲的太阳干电池资料氧化亚铜。太阳干电池兴盛的重要趋向是普及变换功效和贬低本钱。多晶硅太阳干电池是将来最有兴盛后劲的太阳干电池之一。本局部按照多晶硅构造的特性，提防接洽了多晶硅太阳干电池的产业化消费中各工艺对干电池本能爆发的感化，得出如次论断：1. 沿用光谱相应体例和扫描电子显微镜接洽了酸腐多晶硅外表织构工艺。接洽表白，多晶硅在HF、HNO3和H2O的配比为1:3:2.7的侵蚀液中侵蚀120s后不妨获得曲射率较低且较平均的曲蟮状外表构造。2. 运用四探针和I-V尝试接洽了各别方阻阻值对干电池本能的感化。接洽表白，在现有栅线前提下，方阻阻值在45～50 ?/□范畴内，所创造的干电池有较高的开路电压和短路交流电。3. 运用I-V尝试接洽了各别刻蚀前提对干电池本能的感化。接洽表白，发射电波频率功率过大、刻蚀功夫过长、压强太大、气体流量太多数会对硅片外表形成伤害，以至会危及结区，进而使干电池本能低沉。4. 沿用去膜试验、傅里叶变幻红外接收和I-V尝试辨别对各别前提堆积氮化硅地膜的精致性、氢含量和干电池本能举行接洽。接洽表白，多晶硅的外表钝化重要与氮化硅地膜的精致性相关，而体钝化则重要与氮化硅中的氢含量相关。5. 沿用扫描电子显微镜和I-V尝试对两种各别铝浆制备的铝背场举行了接洽。接洽表白，好的铝浆会产生较高品质的背场，巩固载流子的搜集本领和传导本领，进而普及干电池的本能。经过热蒸镀Cu膜并在气氛中退火制备Cu2O地膜。运用X射线衍射(XRD)、能量分别X射线谱(EDX)和亚原子力显微镜(AFM)接洽了已堆积和各别温度退火地膜的晶体构造、成份和外表形貌，为Cu2O在异质结地膜太阳干电池中地运用作了筹备处事。得出如次论断：1. Cu膜在200℃退火30秒钟不妨获得具备简单成份的Cu2O地膜；2. 四探针丈量获得所制备的Cu2O地膜电阻率为0.22?cm；3. 用紫外看来光分光灯光计(UV-vis)接洽了Cu2O地膜的光学个性，得出其光学带隙为2.4eV。

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