免费论文摘要：端基对低聚噻吩/苯并噻吩类复合物电子构造及传输本能的感化

苯噻吩低聚及其衍底栖生物具备构造易化装及光学、电学本能可控的特性，被普遍运用于有机电致发亮器件(OLEDs)和场效力晶体管(OFETs)等范围。已有接洽表白，共轭桥中炔键的引入或端基的变换可明显革新资料的抗氧化本领与载流子的传输本领。可惜的是，到暂时为止，体例地接洽共轭桥及端基典型变换对资料本能感化的关系通讯较少。所以，正文鉴于试验已合成的、具备高迁徙率的、宁静的苯噻吩类载流子传输资料，安排新式的以低聚噻吩、苯并二噻吩、二苯并噻吩为共轭桥，苯及低聚噻吩为端基的有机半半导体资料并猜测其光电本能。沿用密度泛函表面(DFT，TDDFT)B3LYP/6-31G(d)和PBE0/6-31G(d)本领对苯乙烯/乙炔、低聚噻吩为端基，二噻吩(2T)、苯并二噻吩(TPT)、二苯并噻吩(PTP)和并三噻吩(TTT)为共轭桥的32个复合物举行了体例地计划接洽。在辨别优化中性态和离子态好多构型的普通上，赢得了关系复合物的火线轨迹能级、水解能(IPs)、电子亲合能(EAs)、重组能(λh/λe)和电子接收光谱等消息，并领会计划了端基与共轭桥对复合物电子构造与光物理本质的感化。经过体例的表面接洽，可得出以次论断：(1) 共轭桥(2T、TPT、PTP)沟通，苯乙炔基代替苯乙烯基，LUMO能级基础维持静止，但HOMO能级鲜明贬低，能级差?E和激励能Ev增大，接收光谱蓝移10~30 nm。其余，普遍苯乙炔基复合物的重组能(λh和λe)均小于苯乙烯基复合物。(2) 端基沟通共轭桥辨别为2T，TPT和PTP时，HOMO能级渐渐贬低，LUMO能级渐渐升高，能级差?E和激励能Ev顺序增大，接收光谱蓝移30~45 nm，重组能λh/λe顺序贬低。PTP共轭桥复合物的λh/λe固然低于TPT桥，但λh与λe出入较大，倒霉于载流子传输平稳。TPT共轭桥复合物的λh与λe邻近且较小，利于于普及传输功效。(3) 苯乙炔基苯并二噻吩(DPATPT)的重组能(λh与λe辨别为0.21和0.22 eV)比已通讯合成具备较高载流子迁徙率的苯乙烯基苯并二噻吩(DSTPT)更小(λh和λe辨别为0.22和0.24 eV)，且DPATPT的λh和λe比DSTPT更为逼近。所以，正文安排的DPATPT希望变成潜伏的传输功效高、抗氧化本领强的载流子传输资料，犯得着试验工作家探究合成。(4) 共轭桥为苯并二噻吩或并三噻吩时，跟着端基噻吩环的减少，HOMO能级鲜明升高，LUMO能级鲜明贬低；共轭桥沟通，端基噻吩环由单环到稠环的变换时，HOMO能级贬低，LUMO能级升高；端基沟通，共轭桥典型由苯并二噻吩变为并三噻吩时，HOMO能级升高，LUMO能级贬低；在共轭桥与端基之间引入炔键时，HOMO与LUMO能级均有所贬低。端基噻吩环减少、炔键插入及端基噻吩稠环数量变换对LUMO能级的调节和控制本领比HOMO明显，而共轭桥典型的变换对HOMO能级的调节和控制更为明显。?

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