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免费论文摘要:A-B二元系纳米管弥补和掺杂改性的第一性道理接洽

6917 人参与  2022年02月06日 14:48  分类 : 论文摘要  评论

纳米管具备较大的比外表积,很多物理和化学进程比方外表分散、吸附、氧化、催化、侵蚀之类的爆发都与外表相关。经过在纳米管的表里外表上掺杂吸附来化装改性,不妨大大扩充纳米管的运用范畴。本文华用第一性道理本领,中心接洽了过度非金属弥补、吸同意代替掺杂A-B二元系纳米管的好多构造、电、磁、光学本质,重要获得以次要害的论断:(1)对于BCC构造Fe纳米线弥补扶手椅型(8,8) A-B二元系纳米管(用Fen@(8,8)AB表白),当里面纳米线与外部纳米管之间的彼此效率以物理办法(库仑力)为重要效率体制时,不管是纳米线仍旧纳米管均维持与它们初始一致的形貌特性;当里面纳米线与外部纳米管之间的彼此效率以化学办法(杂化成键)为重要效率体制时,所有纳米缆构造将会爆发较重要的构造歪曲,所以控制了复合体制某些上面的出色本质。贯串能计划截止表白,咱们所计划的Fen@(8,8)AB纳米缆构造的产生进程均是放热的,并且,在以库仑彼此效率为主的纳米缆构造中,Fen纳米线的宁静性有所巩固。关心Fe5@(8,8)AB体例的导热本领时创造,GeC纳米管和BN纳米管包袱Fe5纳米线后,纳米缆构造的导热本领比拟于Fe5自在纳米线静止或有所巩固,而SiN纳米管包袱Fe5纳米线使得复合构造的导热本领有所低沉。不只如许,在Fe5@(8,8)AB纳米缆构造(更加Fe5@(8,8)GeC和Fe5@(8,8)BN)中,电子在费米能级处还维持了对立较高的自旋极化。所以,复合体例不只不妨运用在纳米微电子通路贯穿上面,还大概会在电子自旋注入上面获得较好的运用,进而实行了资料的多功效化。(2)对于HCP构造Fe纳米线弥补锯条型BN纳米管和C纳米管(辨别用Fen@(m,0)BN和Fe@(n,0)C表白)而言,产生能计划截止倡导Fe@(m,0)BN(8≤m≤15)体例中惟有Fe@(8,0)BN体例的产生进程是吸热进程,其余体例都是放热的。而Fe@(n,0)C(8≤n≤14)体例中也是惟有Fe@(8,0)C体例的产生进程是吸热进程。最宁静的Fe@(13,0)BN体例的产生能小于最宁静的Fe@(12,0)C体例的产生能,证明BN纳米管在包袱养护HCP构造铁磁非金属纳米线上面大概比C纳米管的包袱越发宁静。观察体例电子自旋极化创造,一切Fe@(n,0)C体例的自旋极化都特殊高,而Fe@(m,0)BN体例中除Fe@(8,0)BN体例除外其余体例也均维持了高的自旋极化。所以,如许的纳米缆构造不妨被运用在自旋电子学的某些上面,如电子自旋注入和自旋输运等。磁性领会表白,比拟于C纳米管,BN纳米管在樊篱其里面非金属纳米线的磁矩上面具备潜伏的上风。更要害的是,低维Fe纳米线在化学本质宁静的C纳米管或BN纳米管养护下不妨提防被氧化和退磁,从而不妨在惯例情况下宁静生存较长的功夫。(3)对于3d过度非金属亚原子吸附BN纳米管而言,各别的吸附亚原子最宁静的吸附场所是各别的。贯串能计划截止表露,3d轨迹未满的非金属V、Cr和Mn亚原子不妨强有力地吸附在扶手椅型(8,0) BN纳米管上(Eb>4.0eV);Sc、Ti、Co和Ni亚原子不妨以化学办法吸附(1.0eV

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