免费论文摘要：硅纳米线阵列在晶硅太阳干电池中的运用接洽

连年，动力紧急和动力耗费爆发的情况题目给人们带来了重要的感化。硅太阳干电池因为纯洁、无传染、可复活而遭到越来越多的关心。硅纳米线阵列具备超低的曲射率，而被用作晶硅太阳干电池的陷光构造。本舆论重要从陷光构造的制备工艺动身，将激光微加工本领运用到晶硅太阳干电池范围，发展了对纳米线晶硅太阳干电池的电极交战和外表钝化的接洽。开始，运用光刻贯串反馈离子刻蚀法（RIE）、非金属开辟无电化学侵蚀法胜利的制备了笔直于单晶硅衬底的硅纳米线阵列；沿用银开辟湿法化学侵蚀的本领，在具备金字塔构造的衬底上制备了硅纳米线阵列，产生了具备双周期减曲射的绒面织构。其次，将硅纳米线阵列运用动作晶硅太阳干电池的陷光构造，不妨灵验的普及晶硅太阳能干电池的光接收。然而因为硅纳米线自己的这种顶端构造使得纳米线晶硅太阳干电池的电极交战不够精致、串联电阻较大，引导了纳米线晶硅太阳干电池的能量变换功效较低。对准纳米线晶硅太阳干电池生存的电极交战题目，在不感化硅纳米线超低曲射的情景下，经过引入激光刻蚀本领，采用性的刻蚀掉丝网印刷地区的硅纳米线阵列，产生电极交战的平整地区。 结果，对准硅纳米线阵列外表积的减少惹起的外表复合重要的题目，发展了亚原子层堆积本领（ALD）堆积了Al2O3地膜动作纳米线晶硅太阳干电池的钝化层，并对钝化后的干电池举行了尝试领会。经过接洽得出以次论断：(1)反馈离子刻蚀法治备的硅纳米线阵列陡直性较好，外表较为润滑，纳米线阵列的长度为1.5um，间距为2um，经过创造各别尺寸的光板滞，可制备可控间距、尺寸的硅纳米线阵列。(2)沿用银开辟化学侵蚀的方法治备硅纳米线阵列，经过变换侵蚀功夫，接洽了硅纳米线阵列长度随侵蚀功夫的变革联系，跟着侵蚀功夫的减少，硅纳米线阵列的长度也减少。(3)在金字塔衬底上制备硅纳米线阵列，产生了具备双周期的减曲射构造，跟着侵蚀功夫的减少，纳米线的长度减少，当侵蚀功夫进一步增大时，金字塔构造被实足刻蚀掉。(4)经过硅纳米线阵列的曲射率尝试创造，在入射光300nm～1000nm射程范畴，纵然没有Si3N4减曲射地膜的情景，硅纳米线阵列具备低于5%的曲射率，更加在400～800nm射程范畴，硅纳米线阵列的曲射率不妨贬低到2%以次，而且跟着硅纳米线长度的减少，曲射率贬低。(5)激光刻蚀本领不妨灵验的处置纳米线晶硅太阳干电池的电极交战题目，贬低了串联电阻，普及了能量变换功效。(6)经过尝试领会创造, Al2O3地膜动作钝化层不妨灵验的贬低外表的复合，普及纳米线晶硅太阳干电池的功效，而且跟着Al2O3地膜厚薄的减少这种钝化的功效更好。

来源：半壳优胜育转载请保留出处和链接！

本文链接：http://87cpy.com/216304.html